IR3R59N 时间：2025/8/27 22:01:42 阅读：4

IR3R59N是一款功率MOSFET晶体管，广泛用于各种电子设备中进行功率控制和开关操作。这款器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种高功率应用场景。IR3R59N由国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）生产，是工程师在设计电源、电机驱动和DC-DC转换器时的常用选择。

参数

类型：功率MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.9mΩ
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　栅极电荷（Qg）：160nC
　　输入电容（Ciss）：2400pF
　　开关时间（导通/关断）：20ns/30ns

特性

IR3R59N是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用了先进的沟槽技术，使其在导通状态下具有极低的电阻（Rds(on)）值，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件的高电流承载能力和低导通电阻使其适用于高功率应用，如电源转换器、电机控制和电池管理系统。IR3R59N还具备出色的热稳定性，在高负载条件下仍能保持良好的散热性能，避免了因过热导致的性能下降或器件损坏。
　　此外，IR3R59N的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和能效。其栅极驱动需求较低，可以在较宽的栅极电压范围内稳定工作，适用于各种驱动电路设计。TO-220AB封装提供了良好的机械强度和热管理能力，便于安装和散热。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，提高了系统的可靠性和稳定性。
　　IR3R59N的工作温度范围宽，适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业控制、汽车电子和可再生能源系统等。其优异的电气和热性能使其成为高功率、高效率电路设计的理想选择。