IR3R58M 时间：2025/8/28 2:32:50 阅读：20

IR3R58M是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这种类型的晶体管广泛应用于功率转换和开关应用，例如电源供应器、DC-DC转换器、马达控制和负载开关等。IR3R58M的设计旨在提供高效率、高可靠性和低导通电阻，以满足现代电子设备对功率管理和节能的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A（在25°C）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.8mΩ（典型值可能更低）
　　封装类型：PowerPAK SO-8双封装
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

IR3R58M的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。该器件采用了先进的沟槽技术，优化了其导电性能并增强了热稳定性。
　　此外，IR3R58M具有高电流承载能力和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其PowerPAK SO-8双封装设计不仅提供了良好的散热能力，还确保了较小的PCB占用空间，非常适合高密度设计。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频应用，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统效率。同时，其栅极驱动要求较低，能够与标准驱动电路兼容，降低了驱动电路的复杂性。
　　IR3R58M的可靠性非常高，通过了汽车行业常用的AEC-Q101认证，适合用于汽车电子系统中。

应用

IR3R58M主要用于需要高效功率转换和管理的场合。常见的应用包括服务器电源、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业电机控制、照明系统以及汽车电子应用（如车载充电器、起停系统等）。
　　在服务器电源和通信设备中，该MOSFET用于高效率的功率转换模块，以满足现代数据中心对能效和散热的严格要求。
　　在汽车应用中，IR3R58M可以用于电动助力转向系统（EPS）、起停系统、车载充电器和电机控制单元，其高可靠性和耐高温特性使其非常适合恶劣的汽车环境。
　　此外，该器件也广泛用于消费类电子产品中的功率管理模块，如笔记本电脑、高性能显卡和游戏机等设备的电源系统。