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IR3R58M 发布时间 时间:2025/8/28 2:32:50 查看 阅读:11

IR3R58M是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种类型的晶体管广泛应用于功率转换和开关应用,例如电源供应器、DC-DC转换器、马达控制和负载开关等。IR3R58M的设计旨在提供高效率、高可靠性和低导通电阻,以满足现代电子设备对功率管理和节能的需求。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):100A(在25°C)
  最大漏-源电压(VDS):30V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大5.8mΩ(典型值可能更低)
  封装类型:PowerPAK SO-8双封装
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IR3R58M的主要特性包括极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。该器件采用了先进的沟槽技术,优化了其导电性能并增强了热稳定性。
  此外,IR3R58M具有高电流承载能力和优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其PowerPAK SO-8双封装设计不仅提供了良好的散热能力,还确保了较小的PCB占用空间,非常适合高密度设计。
  该MOSFET还具有快速开关特性,适用于高频应用,从而减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统效率。同时,其栅极驱动要求较低,能够与标准驱动电路兼容,降低了驱动电路的复杂性。
  IR3R58M的可靠性非常高,通过了汽车行业常用的AEC-Q101认证,适合用于汽车电子系统中。

应用

IR3R58M主要用于需要高效功率转换和管理的场合。常见的应用包括服务器电源、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电动工具、工业电机控制、照明系统以及汽车电子应用(如车载充电器、起停系统等)。
  在服务器电源和通信设备中,该MOSFET用于高效率的功率转换模块,以满足现代数据中心对能效和散热的严格要求。
  在汽车应用中,IR3R58M可以用于电动助力转向系统(EPS)、起停系统、车载充电器和电机控制单元,其高可靠性和耐高温特性使其非常适合恶劣的汽车环境。
  此外,该器件也广泛用于消费类电子产品中的功率管理模块,如笔记本电脑、高性能显卡和游戏机等设备的电源系统。

替代型号

SiR182DP-T1-GE3, SQJA40EP, IRF6718PBF, BSC080N03MS G

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