IR3R54N 时间：2025/8/27 17:40:17 阅读：23

IR3R54N是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高效率、高功率的电源转换和控制应用，例如开关电源、电机控制、照明系统和工业自动化设备。IR3R54N采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，确保在高频率下仍能保持稳定性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　漏极功耗（Pd）：130W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　导通电阻（Rds(on)）：0.0032Ω（典型值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V

特性

IR3R54N具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻确保在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了优化的沟槽设计，使得其在高频开关应用中表现卓越，减少了开关损耗，提高了整体性能。
　　该MOSFET的封装设计（TO-220AB）有助于有效散热，适用于高功率密度的设计需求。IR3R54N的工作温度范围宽广，使其能够在严苛的工业环境和汽车应用中稳定运行。此外，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，便于集成到各种控制电路中。
　　该器件还具备出色的短路耐受能力和过热保护特性，增强了系统的可靠性和耐用性。在设计上，IR3R54N适用于多种拓扑结构，如同步整流、H桥和DC-DC转换器等，广泛应用于电源管理和电机驱动系统中。

应用

IR3R54N主要应用于需要高效功率控制和高电流处理能力的场合。例如，它可以用于开关电源（SMPS）、直流电机驱动器、LED照明系统、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关元件。此外，该器件也适合用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器和DC-AC逆变器等应用。
　　由于其低导通电阻和高效率，IR3R54N在高功率密度设计中表现尤为出色，例如服务器电源、通信设备电源和太阳能逆变器等。同时，其良好的热稳定性和可靠性使其成为工业控制和自动化系统中的理想选择。