时间：2025/8/28 3:32:54
阅读：25
IR3P90B 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用先进的沟槽式 MOS 技术制造。该器件专为高功率密度和高效能电源应用设计，适用于如电源适配器、电池充电器、DC-DC 转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备。IR3P90B 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，能够承受较大的工作电流和电压。该器件采用 TO-220 封装形式，便于散热并适用于多种 PCB 安装方式。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：900V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：3A（在Tc=100℃）
脉冲漏极电流(Imp)：12A
导通电阻(Rds(on))：典型值2.2Ω（最大值2.7Ω）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220
栅极电荷(Qg)：典型值32nC
输入电容(Ciss)：典型值850pF
反向恢复时间(trr)：快速恢复二极管特性（内建）
IR3P90B 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其漏源电压高达 900V，使其适用于高电压输入的电源转换系统，例如 AC-DC 电源适配器和离线式电源供应器。其次，该器件的导通电阻 Rds(on) 典型值为 2.2Ω，在最大工作条件下仍能保持较低的传导损耗，有助于提高整体电源效率。
IR3P90B 的栅极电荷 Qg 典型值为 32nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。此外，输入电容 Ciss 为 850pF，有助于减少高频应用中的信号失真和延迟。
该器件内建一个快速恢复二极管，具有良好的反向恢复特性，能够有效减少在开关过程中因二极管反向恢复引起的损耗和噪声干扰。这对于需要频繁切换的功率系统（如 DC-DC 转换器和马达驱动器）尤为重要。
TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。同时，该封装便于安装和焊接，适用于多种工业标准 PCB 设计。此外，IR3P90B 的最大功耗为 50W，能够在较高温度环境下保持稳定运行。
IR3P90B 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，使其在极端工况下仍能保持稳定性能。这使得该器件非常适合用于工业控制、电动工具、电源管理模块等对可靠性要求较高的应用场景。
IR3P90B 适用于多种高电压和高功率应用场合。其主要应用包括但不限于：离线式 AC-DC 电源适配器、LED 照明驱动器、电池充电器、DC-DC 升压/降压转换器、电动工具和电机控制器、工业自动化设备中的功率开关、高频电源模块、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等新能源设备。此外，该器件也可用于家用电器和消费类电子产品中的电源管理电路。
IRF840, FQA3S900, STP3NK90Z
