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IR3P89 发布时间 时间:2025/8/28 22:21:56 查看 阅读:25

IR3P89 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的功率 MOSFET 驱动器集成电路,广泛用于工业、汽车电子和功率转换应用。该芯片专为高效驱动 N 沟道功率 MOSFET 设计,提供高驱动能力和灵活的控制方式,以适应不同的功率系统需求。IR3P89 具有低功耗设计、宽工作电压范围以及强大的保护功能,适用于半桥、全桥、同步整流等多种拓扑结构。

参数

类型:MOSFET 驱动器
  封装:SOIC-8
  工作电压范围:5V 至 20V
  最大输出电流:±1.7A(典型值)
  传输延迟:30ns(典型值)
  上升/下降时间:15ns / 10ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输入逻辑类型:TTL/CMOS 兼容

特性

IR3P89 是一款高性能的 MOSFET 驱动器芯片,其核心功能是为 N 沟道功率 MOSFET 提供高效、可靠的栅极驱动信号。该芯片采用高压 IC 技术,能够承受高达 20V 的电源电压,使其适用于各种功率转换系统,如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电源管理模块。
  其驱动能力方面,IR3P89 的输出电流高达 ±1.7A,能够快速充放电 MOSFET 栅极电容,从而减少开关损耗并提高系统效率。此外,芯片的传输延迟仅为 30ns,且上升/下降时间分别为 15ns 和 10ns,确保了高频开关操作的稳定性。
  在保护功能方面,IR3P89 集成了欠压锁定(UVLO)保护,当供电电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止 MOSFET 工作在非安全区域。同时,该芯片具有热关断保护机制,当芯片温度超过安全范围时自动关闭以防止损坏。
  IR3P89 的输入端兼容 TTL 和 CMOS 电平,使其可以方便地与各种控制器(如 DSP、FPGA 或 MCU)连接。此外,该芯片采用 SOIC-8 封装,具有良好的散热性能,适合高密度 PCB 设计。
  综上所述,IR3P89 凭借其高驱动能力、低延迟、集成保护功能以及宽电压工作范围,成为工业电源、汽车电子系统和高效能功率转换器中的理想选择。

应用

IR3P89 被广泛应用于各类需要高效驱动功率 MOSFET 的系统中,例如:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、光伏逆变器、UPS 不间断电源系统以及电动汽车(EV)的电控模块等。其高可靠性和灵活的工作特性也使其在工业自动化和机器人控制系统中具有广泛应用价值。

替代型号

IR2110, LM5106, UCC27531

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