类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

IR3P02是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高整体系统的效率。该器件的漏源电压为20V，适用于低压大电流的电源转换系统。其高栅源电压容限（±12V）增强了器件在不同驱动条件下的稳定性和可靠性。
　　此外，IR3P02采用了先进的工艺技术，使其在高温环境下依然保持良好的性能。该MOSFET具备较强的电流承载能力，连续漏极电流可达100A，适合用于高功率密度的设计。其封装形式为TO-220或D2PAK，提供了良好的散热性能，便于在PCB上安装和使用。
　　由于其出色的电气特性和热管理能力，IR3P02广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备中。其快速开关特性和低门极电荷（Qg）也有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。

IR3P02常用于需要高效率和高电流能力的电源管理系统中，如DC-DC降压转换器、升压转换器、同步整流器以及电机驱动电路。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
　　在工业自动化和电机控制领域，IR3P02可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。此外，该器件也常见于高功率负载开关、电源分配系统和智能电源管理模块中。
　　由于其出色的热稳定性和可靠性，IR3P02也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电池供电设备等。其封装形式便于散热，适合长时间高负载工作的应用场景。

Si4410BDY-T1-GE3, TPS62130A-Q1, AO4407