时间：2025/8/28 8:13:57
阅读：5
IR3N74N是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种电源管理应用中。这款MOSFET具有高电流容量和低导通电阻的特点，适合用于需要高效能和高性能的电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：74A
最大漏-源电压（VDS）：100V
导通电阻（RDS(on)）：约0.015Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至175°C
IR3N74N具备低导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高效率。这种特性使其在开关电源、DC-DC转换器以及电动机控制等应用中表现出色。
此外，IR3N74N的封装设计确保了良好的散热性能，能够有效延长器件的使用寿命并提升整体系统可靠性。其较高的最大漏极电流容量（74A）和耐压能力（100V）使得该MOSFET适用于需要高功率处理能力的应用场景。
IR3N74N还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。这种特性对于设计紧凑型电子设备尤为重要，因为这些设备在运行过程中往往会产生较多的热量。该MOSFET的栅极阈值电压范围较宽（2V至4V），使其能够与多种驱动电路兼容，从而简化了外围电路的设计。
IR3N74N的设计也注重了可靠性，采用了优质材料和先进的制造工艺，确保在严苛的工作条件下依然能够提供稳定的性能。
IR3N74N主要应用于电源管理领域，包括但不限于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制电路等。其高电流容量和低导通电阻的特性使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的设计。此外，IR3N74N还可用于汽车电子系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制部分。
IRF3710, IRF1405, IRF3205
