IR3N71D 时间：2025/8/29 18:04:12 阅读：29

IR3N71D是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率的电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于DC-DC转换器、同步整流、电机控制以及电池管理系统等场景。IR3N71D封装形式为PG-HSOF-8，体积小巧，适合高密度PCB布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：30V
　　最大漏极电流(Id)：4.6A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：最大80mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷(Qg)：9.5nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：PG-HSOF-8
　　功率耗散(Pd)：3.1W

特性

IR3N71D具备多项优异特性，使其在众多电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，快速开关特性减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，该器件采用了英飞凌的沟槽MOSFET技术，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。IR3N71D还具备良好的抗雪崩能力，能够在高应力条件下保持稳定运行。其HSOF-8封装具有良好的散热性能，同时保持紧凑的尺寸，适合空间受限的设计。
　　在实际应用中，IR3N71D的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，使其兼容多种驱动器和控制器。此外，其低Qg特性有助于降低驱动损耗，提高整体系统能效。该器件还具备良好的短路耐受能力，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。

应用

IR3N71D广泛应用于各类高效电源系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。其高效率和高频率特性使其成为开关电源（SMPS）、LED驱动器和便携式电子设备的理想选择。在汽车电子领域，IR3N71D可用于车载充电系统、DC-DC转换模块以及车身控制系统。此外，由于其优异的热性能和可靠性，该器件也常用于工业控制、通信电源和消费类电子产品。