IR3N71D是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高频率的电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关性能,适用于DC-DC转换器、同步整流、电机控制以及电池管理系统等场景。IR3N71D封装形式为PG-HSOF-8,体积小巧,适合高密度PCB布局。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vdss):30V
最大漏极电流(Id):4.6A(连续)
导通电阻(Rds(on)):最大80mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):9.5nC(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:PG-HSOF-8
功率耗散(Pd):3.1W
IR3N71D具备多项优异特性,使其在众多电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。其次,快速开关特性减少了开关损耗,使其适用于高频开关应用。此外,该器件采用了英飞凌的沟槽MOSFET技术,确保了良好的热稳定性和长期可靠性。IR3N71D还具备良好的抗雪崩能力,能够在高应力条件下保持稳定运行。其HSOF-8封装具有良好的散热性能,同时保持紧凑的尺寸,适合空间受限的设计。
在实际应用中,IR3N71D的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间工作,使其兼容多种驱动器和控制器。此外,其低Qg特性有助于降低驱动损耗,提高整体系统能效。该器件还具备良好的短路耐受能力,确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。
IR3N71D广泛应用于各类高效电源系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备。其高效率和高频率特性使其成为开关电源(SMPS)、LED驱动器和便携式电子设备的理想选择。在汽车电子领域,IR3N71D可用于车载充电系统、DC-DC转换模块以及车身控制系统。此外,由于其优异的热性能和可靠性,该器件也常用于工业控制、通信电源和消费类电子产品。
Si4406BDY, FDS6680, IRF7314, TPS2R07C, AO4406