时间：2025/8/27 17:12:32
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IR3N34N 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效功率管理的电子应用。该器件以其高开关速度、低导通电阻和高可靠性著称，适用于电源转换、电机控制、照明驱动和电池管理系统等多种场景。IR3N34N 采用 TO-220 封装，便于散热和安装。由于其出色的电气性能和热性能，这款 MOSFET 在工业和消费类电子设备中广泛使用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：300V
最大漏极电流（ID）：3A
导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
IR3N34N 的关键特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在高压和中等电流的应用中，这种特性尤为重要。
此外，IR3N34N 具有较高的耐压能力（最大漏源电压为 300V），使其适用于高电压环境，如开关电源（SMPS）和电机控制电路。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能，从而提高了设备的可靠性和使用寿命。
其 TO-220 封装设计有助于散热，确保在高功率操作下仍能保持良好的热管理。
IR3N34N 支持快速开关操作，适用于需要高频开关的应用场景，例如 DC-DC 转换器和 LED 驱动器。
此外，该器件的栅极阈值电压范围适中（2V 至 4V），使其能够与多种驱动电路兼容，包括常见的微控制器输出。
IR3N34N 广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制电路、LED 驱动器、电池管理系统和工业自动化设备。在开关电源中，IR3N34N 被用于高效的功率转换，提供稳定的输出电压并减少能量损耗。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可以实现高效的电压调节，适用于便携式设备和车载系统。在电机控制电路中，IR3N34N 可用于驱动小型电机或继电器，提供可靠的开关性能。LED 驱动器中使用 IR3N34N 可以实现高效的电流控制，提高照明系统的能效。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路。此外，IR3N34N 还可用于工业自动化设备中的电源管理模块，确保系统的稳定运行。
STP3NA50N, FDP3N300, 2SK2225
