IR3N32 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)推出的高性能功率晶体管,主要用于高功率和高频应用中。该器件采用了先进的高压工艺制造,适用于各种工业和消费类电子产品中的功率转换和控制。IR3N32 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,使其在高效率和高可靠性要求的应用中表现出色。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id):3A
最大漏源电压 (Vds):600V
最大栅源电压 (Vgs):±20V
导通电阻 (Rds(on)):典型值为 2.5Ω(最大值为 3.5Ω)
最大功耗 (Pd):50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220、D2PAK 等
IR3N32 具有多个关键特性,使其在功率应用中表现出色。首先,它的高漏源电压(600V)使其适用于高电压应用,如电源转换器和电机驱动器。其次,低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具有快速开关特性,能够支持高频操作,从而减少外部滤波器组件的尺寸和成本。
IR3N32 还具有良好的热稳定性和高耐用性,能够在恶劣的工作环境下可靠运行。其封装形式(如 TO-220 和 D2PAK)设计有助于有效散热,确保器件在高负载条件下仍能保持良好的性能。此外,IR3N32 具有较高的抗雪崩击穿能力,能够在过载和瞬态条件下提供更高的可靠性。
IR3N32 广泛应用于多个领域,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机控制、照明系统(如 HID 灯镇流器)以及工业自动化设备。此外,它还常用于消费类电子产品中的功率管理电路,如电视电源、音频放大器和电动工具等。由于其高电压耐受能力和高效的导通特性,IR3N32 也常用于太阳能逆变器和电动车充电器等新能源领域。
IRF730、IRF830、IRFBC20、IRFBF15N60A