类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：11A（在25°C）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.8mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
　　封装类型：PowerPAK SO-8双封装（DFN5x6）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大功耗（PD）：3.1W
　　栅极电荷（Qg）：约20nC
　　漏极电荷（Qd）：约7.5nC

IR3M63U具备多项先进的电气和物理特性，使其在高性能电源设计中表现出色。首先，其极低的导通电阻可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，优化了载流子的分布，从而提升了器件的电流承载能力和热稳定性。此外，IR3M63U具有快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源应用。
　　该器件的封装形式为PowerPAK SO-8双封装（DFN5x6），不仅提供了良好的热管理能力，还实现了紧凑的PCB布局，适用于空间受限的设计。其高耐压能力（60V VDS）确保了在多种电压条件下稳定工作，适用于如服务器电源、通信设备、工业自动化系统以及电池管理系统等应用。
　　IR3M63U还具有良好的热稳定性和抗短路能力，能够在高温环境下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。其栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路设计，增强了设计灵活性。

IR3M63U广泛应用于各种高效率电力电子系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、服务器和通信电源模块、UPS不间断电源、光伏逆变器以及各类工业控制设备中的功率开关部分。其出色的性能使其成为高功率密度和高效率设计的理想选择。

SiZ600DT、FDMS7610、NTMFS5C628L、SiR178DP、FDMS86101