时间：2025/8/28 5:32:49
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IR3M03N2/T2 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款双路 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TSSOP（Thin-Shrink Small Outline Package）封装。该器件适用于需要高效率和紧凑设计的电源管理和功率转换应用。
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：500mA（最大）
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（典型值，Vgs=4.5V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP
IR3M03N2/T2 具有低导通电阻的特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其双路 MOSFET 结构使其非常适合用于双通道负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备中的电源管理电路。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可以在较低的电压下工作，适用于 3V 至 5V 的数字逻辑控制电路。
该 MOSFET 采用了先进的沟槽式技术，提供更高的性能和可靠性，同时在封装设计上优化了热性能，有助于在高电流工作条件下保持较低的温度上升。由于其低功耗和高集成度的特性，IR3M03N2/T2 成为了便携式电子设备、智能传感器、穿戴设备和小型电机控制应用中的理想选择。
器件的封装符合 RoHS 标准，支持环保生产流程，并且具备良好的焊接可靠性和可制造性，适合表面贴装技术（SMT）生产线的自动化装配。
IR3M03N2/T2 主要应用于便携式电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，它也适用于需要高效能和小型化设计的工业控制系统、电池管理系统、负载开关、DC-DC 转换器以及 LED 驱动电路等场景。该器件还可以用于电机驱动、传感器接口电路以及需要低电压控制的嵌入式系统。
Si3442DV-T1-GE3, NTR4501NT1G, 2N7002K-T1-GE3
