时间：2025/8/27 18:14:22
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IR3F02N 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等。IR3F02N 具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车电子系统。
类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）@25°C：210A
导通电阻（RDS(on)）：最大 1.7mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双散热片
IR3F02N 的核心优势在于其超低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供优异的开关性能和热稳定性。
其 PowerPAK SO-8 封装形式具有双侧散热功能，有助于提高散热效率，从而在高功率密度设计中发挥重要作用。IR3F02N 还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
该 MOSFET 支持快速开关操作，适用于高频开关电源和同步整流器等应用。其栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 10V 之间有效工作，兼容多种驱动电路设计。
IR3F02N 主要应用于需要高效率和高电流能力的功率转换系统中。典型应用包括服务器电源、电信电源系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及汽车电子中的功率模块。
由于其优异的导通特性和热性能，该器件也常用于高性能电源管理模块，如笔记本电脑适配器、功率放大器和工业自动化设备中的电源部分。在新能源汽车和电动工具领域，IR3F02N 也常被用作主开关或同步整流器件。
SiS628A, BSC010N04LS, IPB013N04NG
