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IR3F02 发布时间 时间:2025/8/28 5:03:52 查看 阅读:6

IR3F02是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能和高可靠性应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适用于各种电力电子系统,例如电源转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化设备。IR3F02采用先进的封装技术,确保在高负载条件下依然能够保持良好的热管理和电气性能。

参数

类型:功率MOSFET
  工艺技术:MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):71A
  导通电阻(Rds(on)):最大4.3mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):140W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-220
  引脚数:3
  

特性

IR3F02的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高系统的整体效率。其4.3mΩ的最大Rds(on)在Vgs=10V时表现优异,适合高电流应用场景。
  其次,该器件具有较高的电流承载能力,连续漏极电流可达71A,使其能够胜任大功率负载的开关控制任务。
  此外,IR3F02的栅源电压为±20V,具备较强的栅极驱动兼容性,支持广泛的应用场景。其高耐压能力(30V)确保在瞬态电压波动下依然保持稳定运行。
  该MOSFET采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适用于需要长时间高负载运行的工业级应用。其工作温度范围从-55°C至175°C,表明其在极端环境下的稳定性和可靠性。
  最后,IR3F02的设计优化了开关性能,降低了开关损耗,从而提升了电力电子设备的效率并减少了发热问题。这些特性使其成为电源转换、电机控制和电池管理系统等领域的理想选择。

应用

IR3F02广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电源管理系统中,它用于高效能的功率开关,以提高能量转换效率。在直流-直流转换器中,该器件能够承受高电流并减少导通损耗,从而提升转换效率。对于电机驱动器,IR3F02的高电流能力和快速开关特性使其能够有效控制电机的运行状态。在电池管理系统中,该MOSFET用于电池充放电控制,确保安全和高效的能量管理。此外,该器件也适用于需要高可靠性和高效率的工业自动化设备,如PLC(可编程逻辑控制器)和伺服驱动器。

替代型号

IRF3205, IRF1404, Si4410DY

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