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IR2E59U6 发布时间 时间:2025/8/28 3:28:20 查看 阅读:10

IR2E59U6 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的高性能、高集成度的 MOSFET 驱动器集成电路。该芯片专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 设计,广泛应用于开关电源(SMPS)、电机控制、照明系统以及工业自动化等领域。IR2E59U6 提供了强大的驱动能力和高效的保护功能,确保系统在高频率和高负载条件下的稳定运行。该芯片采用紧凑型封装,具有良好的热性能和抗干扰能力。

参数

类型:MOSFET 驱动器
  封装:TSOP
  电源电压:10V ~ 20V
  输出电流:±1.5A(典型值)
  工作温度范围:-40°C ~ +150°C
  驱动能力:高/低端驱动
  工作频率:高达 500kHz
  保护功能:欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)、过流保护(OCP)

特性

IR2E59U6 采用高集成度设计,内部集成了高端和低端 MOSFET 驱动电路,支持同步整流和半桥结构。其驱动输出具有快速上升和下降时间,可有效减少开关损耗并提高系统效率。芯片内置的欠压锁定功能可防止在电源电压不足时误动作,确保系统的稳定性。此外,IR2E59U6 还具备过温保护和过流保护功能,可在异常条件下自动关闭输出,保护功率器件和系统免受损坏。
  该芯片的输入端兼容标准逻辑电平(3.3V、5V 和 12V),便于与各种控制器或微处理器连接。其高抗噪能力使其适用于电磁干扰(EMI)较强的工业环境。IR2E59U6 采用 TSOP 封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用,并具有良好的散热性能。

应用

IR2E59U6 主要应用于开关电源(如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器)、电机驱动控制、LED 照明系统、工业自动化设备以及电池管理系统(BMS)。其高驱动能力和多种保护机制也使其适用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统,如车载充电器和电机控制器。

替代型号

IR2104S, IR2110, IR21844

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