IR2E04 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)驱动器集成电路。该器件专为中高功率应用中的 IGBT 和功率 MOSFET 的栅极驱动而设计,广泛用于工业控制、电源系统、电机驱动和变频器等领域。IR2E04 采用高集成度设计,内部集成了死区时间控制、欠压保护、短路保护等功能,提高了系统的可靠性和安全性。其封装形式通常为 14 引脚 DIP 或 SOP,适合多种 PCB 设计需求。
工作电压范围:15V 至 30V
输出驱动电流:±0.4A(典型值)
最大工作频率:1MHz
死区时间:50ns(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装形式:14-PDIP、14-SOIC
输入逻辑兼容性:TTL/CMOS
隔离电压:2500VRMS(典型值)
IR2E04 是一款性能优越的 IGBT 驱动器 IC,具备多项先进特性,能够满足复杂工业应用的需求。首先,其宽工作电压范围(15V 至 30V)使其能够适应不同的电源设计,适用于各种 IGBT 和功率 MOSFET 的驱动需求。该 IC 提供高达 ±0.4A 的输出驱动电流,确保能够快速有效地驱动功率器件的栅极,降低开关损耗并提高系统效率。
其次,IR2E04 支持高达 1MHz 的工作频率,适用于高频开关应用场景,如变频器和开关电源等。其内置的死区时间控制功能(典型值为 50ns)可有效防止上下桥臂直通,提高系统的稳定性与安全性。
此外,IR2E04 集成了多种保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、过流保护以及短路保护,能够在异常工作条件下自动关闭输出,保护功率器件免受损坏。这种集成化设计不仅简化了外围电路,还提高了系统的整体可靠性。
IR2E04 的封装形式包括 14-PDIP 和 14-SOIC,适用于不同的 PCB 安装方式,并具备良好的散热性能。其工作温度范围为 -40°C 至 +150°C,可在恶劣的工业环境中稳定运行。同时,输入端兼容 TTL 和 CMOS 逻辑电平,方便与各种微控制器或数字信号处理器连接。
IR2E04 主要应用于需要高效驱动 IGBT 和功率 MOSFET 的场合。在电机驱动系统中,该器件用于控制 H 桥电路中的功率开关,实现对电机的精确调速和转向控制。在变频器和逆变器中,IR2E04 可以提供可靠的栅极驱动信号,并防止上下桥臂直通,从而提高系统效率和安全性。
此外,该 IC 广泛应用于开关电源(SMPS)、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域。其高集成度和内置保护功能使其成为工业自动化、电力电子设备和智能家电中不可或缺的关键元件。
由于其优异的抗干扰能力和稳定的输出特性,IR2E04 也常用于高频感应加热、电焊机和电能质量调节设备等高要求的工业控制场景中。
IR2104、IR2104S、IRS2001、IRS2106、LM5111