IR2C30N 时间：2025/8/28 1:51:25 阅读：4

IR2C30N是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.04Ω（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

IR2C30N具有优异的导通和开关性能，其低Rds(on)特性可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和抗过载能力，能够在高电流和高温环境下稳定运行。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽技术，优化了电场分布，降低了开关损耗，并提高了器件的耐用性和可靠性。同时，其±20V的栅极电压耐受能力使其适用于多种驱动电路设计，增强了系统的灵活性。
　　IR2C30N还具备良好的雪崩能量承受能力，能够在突发电压冲击下保持稳定运行，从而提高整个系统的安全性和耐用性。这种特性使其特别适用于电机驱动、电动工具和电池供电设备等高要求应用场景。

应用

IR2C30N广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、UPS不间断电源、电动车充电系统以及家用电器中的功率控制模块。
　　在电机控制应用中，IR2C30N能够提供高效的开关性能，减少能耗并提高响应速度；在电池管理系统中，该器件可用于高精度的充放电控制和保护电路设计；在开关电源中，其低导通电阻和高效率特性有助于提升整体电源转换效率并减少散热需求。