时间：2025/8/27 15:46:54
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IR2C22 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和电机控制等应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于工业电源、DC-DC 转换器、负载开关以及各种高功率电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：115 A
导通电阻（Rds(on)）：4.4 mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：200 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
IR2C22 MOSFET 具备多项优良特性，首先其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽式结构，优化了电流传导路径，从而提升了电流处理能力和热稳定性。此外，IR2C22 的封装形式为 TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（可支持 10V 至 20V），允许灵活使用不同的驱动电路。IR2C22 还具有较高的耐用性和可靠性，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。其高雪崩能量耐受能力也使得该器件在开关过程中具有更好的稳定性，适用于需要频繁开关操作的应用场景，如电机控制和负载开关等。
IR2C22 主要应用于工业电源系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及高功率电子设备中。由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件特别适合用于需要高效率和高性能的电源转换场合，例如服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器以及电动车控制系统等。
SiS170DN, SQM120R04Q, IPW90R120C3
