IR2C19 时间：2025/8/28 4:03:25 阅读：26

IR2C19是一种由Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的功率MOSFET驱动器集成电路，主要用于驱动高功率的MOSFET和IGBT器件。该芯片设计用于半桥或全桥拓扑结构，能够提供高驱动能力和良好的保护功能，适用于开关电源、电机控制、逆变器以及工业自动化系统等领域。IR2C19具备高集成度和可靠性，是高性能功率转换系统的理想选择。

参数

类型：高压高速MOSFET驱动器
　　工作电压范围：10V 至 20V
　　输出电流能力：高端和低端各200mA/400mA（典型值）
　　最大工作频率：高达500kHz
　　死区时间控制：内置可调死区时间控制
　　输入信号兼容性：3.3V至15V逻辑电平兼容
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：DIP、SOIC、QFN等

特性

IR2C19具备多项先进的特性，以确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。其核心特性之一是内置的高低端自举电路，能够简化外部电路设计并提高效率。该芯片支持宽输入电压范围，适用于多种电源管理系统。此外，IR2C19集成有欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于安全阈值时，能够自动关闭输出，防止MOSFET或IGBT因电压不足而损坏。该芯片还具备较强的抗干扰能力，可有效降低由于高频开关操作引起的误触发问题。此外，IR2C19的封装设计紧凑，适合用于高密度PCB布局，且具备良好的散热性能，以满足工业级应用对稳定性的高要求。

应用

IR2C19广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及LED照明系统等。在这些应用中，IR2C19能够高效地驱动高压MOSFET和IGBT，实现快速开关和低损耗操作。例如，在电机控制系统中，IR2C19可用于驱动H桥结构，实现对直流电机或步进电机的精确控制；在太阳能逆变器中，该芯片可用于驱动功率开关器件，从而实现高效的能量转换。此外，IR2C19也适用于需要高可靠性和高性能的汽车电子系统和家电控制模块。