IR264C是一款由美国国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)设计和生产的功率场效应晶体管(Power MOSFET),属于N沟道增强型MOSFET。这款器件广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种需要高效率功率开关的场合。IR264C以其高耐压、低导通电阻(Rds(on))和良好的热性能著称,适用于中高功率应用。该器件采用TO-220封装形式,便于安装和散热。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):17A(在Tc=25℃)
脉冲漏极电流(Idm):68A
导通电阻(Rds(on)):0.095Ω(最大值)
功率耗散(Pd):160W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220
IR264C具备多项优良特性,适用于高性能功率转换系统。其主要特性包括:
1. **高耐压能力**:IR264C的漏源击穿电压为200V,能够在高压环境下稳定工作,适用于多种开关电源和DC-DC转换器应用。
2. **低导通电阻**:Rds(on)最大值为0.095Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率,尤其适合用于高电流应用场景。
3. **大电流承载能力**:连续漏极电流可达17A,在短时间脉冲条件下可承受高达68A的电流,适用于需要瞬时高功率输出的系统。
4. **良好的热稳定性**:TO-220封装具有良好的热传导性能,能够有效散热,确保器件在高负载下依然保持稳定运行。
5. **高可靠性**:IR公司制造的MOSFET产品具有优异的工艺和材料选择,确保器件在严苛环境下仍具有长寿命和稳定的性能。
6. **栅极驱动兼容性**:IR264C的栅极驱动电压范围宽(±20V),与常见的MOSFET驱动器兼容,便于设计和集成。
这些特性使IR264C成为高性能功率电子设备的理想选择。
IR264C广泛应用于多个领域,包括:
1. **开关电源(SMPS)**:用于高效能AC-DC转换器和DC-DC转换器中,作为主开关元件,提高能量转换效率。
2. **电机驱动与控制**:在直流电机、步进电机或无刷直流电机的H桥驱动电路中作为功率开关,实现电机的正反转及调速功能。
3. **逆变器系统**:在太阳能逆变器、UPS不间断电源等系统中,IR264C用于将直流电转换为交流电,提供稳定的电力输出。
4. **电池管理系统(BMS)**:在电动汽车或储能系统的充放电管理中,IR264C用于控制电流的通断,保障系统的安全运行。
5. **工业自动化设备**:如工业控制柜、PLC系统等,用于控制高功率负载的开关操作。
6. **消费类电子产品**:例如大功率LED驱动器、智能家电中的电源管理模块等。
由于其高耐压、大电流和低导通电阻的特性,IR264C适用于各种中高功率电子系统的功率开关控制。
STP20NK20Z, FDP264N20, IRF264N