类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：600V
　　最大集电极电流（Ic）：50A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通压降（Vce_sat）：约2.1V（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　输入电容（Cies）：约1800pF
　　输出电容（Coes）：约300pF
　　反向传输电容（Cres）：约100pF
　　短路耐受能力：支持
　　隔离电压：2500Vrms（根据封装）

IR26-51C/302/T/TR8具备多项先进特性，使其在高功率和高频率应用中表现出色。首先，它具有低导通压降，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其次，该器件的开关损耗较低，能够支持高频操作，从而减少外围元件的尺寸和重量。此外，该IGBT具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载电流而不损坏，提高了系统的可靠性和安全性。该器件的封装设计确保了良好的热管理和电气隔离，适用于严苛的工业环境。此外，IR26-51C/302/T/TR8还具备较高的dv/dt耐受能力，能够减少开关过程中因电压变化率过高而引发的误触发问题，从而提高系统的稳定性。
　　在控制方面，该IGBT具有较宽的栅极驱动电压范围，支持多种类型的驱动电路，从而提高了设计的灵活性。同时，其栅极结构设计优化了抗干扰能力，降低了误触发的风险。此外，该器件的可靠性经过严格测试，符合工业级标准，适用于长期运行的高可靠性应用场合。

IR26-51C/302/T/TR8广泛应用于多种高功率电子系统中。其中包括工业电机驱动器、变频器、逆变器以及不间断电源（UPS）系统。在可再生能源领域，该IGBT常用于太阳能逆变器和风力发电变流器中，用于将直流电转换为交流电并馈入电网。此外，该器件也可用于电动汽车充电设备、电焊机和感应加热系统等应用。由于其高效率和高可靠性，IR26-51C/302/T/TR8非常适合需要高功率密度和长寿命的工业和能源系统。

IRGP50B60PD1, FF50R60KT4, IKW50N60H5