供电电压：10V 至 20V
　　输出电流（峰值）：±200mA
　　耐压能力：600V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容
　　传播延迟：典型值 300ns
　　上升时间：典型值 25ns
　　下降时间：典型值 20ns
　　封装类型：SOIC-8
　　高边驱动电压偏移范围：-5V 至 600V
　　低边参考地电压：0V 至 VSS
　　输入信号响应时间：最大 500ns
　　静态电流：典型值 2.5mA
　　驱动输出方式：图腾柱输出
　　电平移位技术：集成式自举电路支持
　　死区时间控制：无（需外部控制）
　　自举二极管集成：否
　　最小工作频率：DC
　　最大推荐开关频率：100kHz

IR2526S的驱动架构基于高边和低边两个独立的驱动通道，分别用于控制半桥电路中的上管和下管。其高压侧驱动采用了电荷泵或自举电源技术来实现电平移位，确保在浮动高边参考点下仍能有效开启N沟道MOSFET。这种设计不仅提升了系统效率，还避免了使用P沟道器件所带来的导通损耗问题。芯片内部集成了精密的匹配延迟电路，以减少上下管同时导通的风险，从而降低短路电流的可能性。虽然IR2526S本身不包含内置死区时间逻辑，但其快速且对称的传播特性允许外部控制器精确管理死区时间，适用于需要高度可控性的PWM调制应用。
　　该器件具有强大的抗dv/dt干扰能力，即使在快速电压变化环境下也能保持稳定的驱动性能。这得益于其优化的布局和内部补偿机制，能够在高噪声工业环境中可靠运行。另外，IR2526S具备完善的欠压锁定（UVLO）保护机制，当VCC电压低于设定阈值时，会自动关闭输出，防止因驱动能力不足导致的功率器件非饱和导通，进而避免过热损坏。此UVLO功能在高低边输出上均有效，增强了系统的安全性。
　　IR2526S的输入端采用施密特触发器设计，提高了对输入信号的噪声抑制能力，确保在长线传输或电磁干扰较强的场合下依然能够准确响应控制信号。同时，其低输入电流需求减少了前级控制器的负载压力，提升了整体系统的兼容性。在封装方面，SOIC-8的小型化设计使其易于自动化装配，并节省PCB空间。尽管其最大开关频率建议为100kHz，但在轻载或优化布局条件下可支持更高频率的操作。总体而言，IR2526S以其高集成度、优异的驱动能力和坚固的保护特性，成为中等功率开关电源和电机控制应用中的理想选择。

IR2526S主要应用于各类需要高效半桥驱动的电力电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是用于服务器电源、电信整流器和工业电源模块中的LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑。在这些应用中，IR2526S通过精确驱动上下两个MOSFET，实现高效的能量转换和低损耗操作。此外，它也常用于直流无刷电机（BLDC）驱动器中，作为相位开关的驱动核心，配合微控制器生成的PWM信号完成换向控制，广泛应用于风扇、泵类设备及家用电器中。
　　在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，IR2526S可用于驱动DC-AC转换级的半桥单元，帮助将直流电高效地转换为交流电输出。由于其具备600V耐压能力，因此特别适合用于400V母线电压级别的系统设计。同时，在感应加热、电子镇流器和焊接设备等高功率密度应用中，IR2526S凭借其高抗噪性和快速响应能力，能够保证系统在复杂电磁环境下的稳定运行。
　　此外，IR2526S还可用于电动工具、电动车充电模块以及工业自动化设备中的功率驱动部分。其宽温工作范围和高可靠性使其能够在极端环境条件下长期服役。对于需要紧凑设计的产品，其SOIC封装形式提供了良好的散热性能和安装便利性。结合适当的外围电路（如自举二极管和栅极电阻），IR2526S可以灵活适应不同功率等级的设计需求，是中低端功率应用中极具性价比的驱动解决方案。

IRS2186SPBF
　　IR2110S
　　IRS2106STRPBF
　　FAN73896