类型：高压半桥栅极驱动器
　　通道类型：单通道高边驱动
　　最大耐压（BST至GND）：600 V
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容
　　输出峰值电流：典型值 230 mA
　　传播延迟时间：典型值 600 ns
　　上升时间（10%至90%）：典型值 45 ns
　　下降时间（90%至10%）：典型值 35 ns
　　工作电源电压范围（VDD）：10 V 至 20 V
　　欠压锁定阈值（UVLO）：高端约 11.5 V（使能），低端约 8.8 V（关闭）
　　静态电流：典型值 250 μA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-8, DIP-8

IR2526具备多项关键特性，使其在中高功率开关电源应用中表现出色。首先，其集成的高端浮置通道可支持高达600V的工作电压，配合自举电路实现高效高边驱动，无需使用隔离变压器或专用隔离电源，显著简化了系统设计复杂度和成本。其次，该器件采用先进的电平移位技术，确保低压侧控制信号能够准确传递到高压侧输出端，即使在快速dv/dt瞬变环境下也能维持信号完整性，有效抑制误触发风险。其输入与输出之间具有优异的噪声 immunity，典型共模瞬态抗扰度（CMTI）大于50 kV/μs，这在高噪声工业环境中至关重要。
　　另一个重要特性是内置的双级欠压锁定（UVLO）保护机制，分别监控高端和低端供电轨。当VCC或VBST电压低于设定阈值时，输出将被强制拉低，防止MOSFET工作在非饱和区而导致过热或直通短路。这一机制提升了系统的可靠性与安全性。此外，IR2526提供可调节的输出驱动能力，通过外接栅极电阻可控制MOSFET的开关速度，在效率与EMI之间实现平衡。器件还具备较低的静态功耗和快速响应时间，支持高达数百kHz的开关频率，适用于高频DC-DC转换器和LED驱动电源。
　　IR2526还集成了一个内部自举二极管，替代了传统方案中的外部高速二极管，不仅节省了PCB面积，也降低了因外部元件失效带来的故障率。其SOIC-8封装具有较大的爬电距离设计，增强了高压环境下的绝缘性能。同时，引脚排列经过优化，便于布局布线，减少寄生电感影响，提高整体系统稳定性。综合来看，IR2526以其高集成度、强抗干扰能力和灵活的接口设计，成为众多电源工程师在构建高效、可靠功率级电路时的优选驱动IC。

IR2526广泛应用于各类需要高压侧驱动能力的电力电子系统中。典型应用场景包括交流-直流（AC-DC）开关电源，特别是在PFC（功率因数校正）升压变换器和LLC谐振转换器中作为高边MOSFET的驱动器。在这些应用中，IR2526能够有效驱动工作在数百伏母线电压下的N沟道MOSFET，提升整体转换效率并降低待机功耗。此外，它也被用于直流-直流（DC-DC）同步整流电源模块，尤其是在多相降压变换器中，用于驱动高边开关管以实现高效的电压调节，满足CPU、GPU等高性能处理器的供电需求。
　　在工业领域，IR2526常用于电机驱动逆变器、UPS不间断电源和太阳能微型逆变器等设备中，作为半桥拓扑结构中的核心驱动组件。其高耐压能力和良好的热稳定性使其能够在恶劣环境下长期稳定运行。照明电源方面，该芯片适用于大功率LED恒流驱动电源，特别是采用有源PFC架构的产品，帮助实现高功率因数和低总谐波失真（THD）。消费类电子产品如电视、显示器电源适配器也普遍采用IR2526来提升能效等级并符合能源之星等环保标准。
　　此外，由于其TTL/CMOS兼容输入和简单的外围电路需求，IR2526非常适合与各种PWM控制器（如UC384x系列、TL494、SG3525等）或数字控制器（如DSP或MCU）协同工作，构建灵活的数字化电源管理系统。其小尺寸封装也有利于实现高密度电源设计，适应现代电子产品对小型化和轻量化的追求。因此，无论是在工业、通信还是消费市场，IR2526都展现出强大的适应性和广泛应用前景。

IR2125
　　IR2110
　　IRS2186
　　MAX2526
　　LM5106