类型：半桥栅极驱动器
　　通道数：2
　　输出类型：图腾柱
　　高端侧最大电压（自举）：600 V
　　逻辑输入电压：3.3V / 5V 兼容
　　峰值输出电流：200 mA
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL 兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　开关频率支持：最高可达 100 kHz
　　传播延迟：典型值 200 ns
　　上升时间：典型值 50 ns
　　下降时间：典型值 30 ns
　　供电电压（VDD）：10 V 至 20 V
　　欠压锁定保护（UVLO）：有
　　封装类型：SOIC-8 / DIP-8

IR2186S的核心特性之一是其高压浮动通道技术，允许高端驱动器在高侧开关应用中正常工作，即使其源极电压在开关过程中大幅波动。该技术通过自举二极管和电容实现，使高端驱动器的供电相对于高端MOSFET的源极为基准，从而确保栅极驱动信号的有效施加。这一机制广泛应用于半桥和全桥拓扑中，显著提升了功率转换效率和系统集成度。
　　另一个关键特性是其CMOS/TTL兼容输入逻辑，使得IR2186S可以轻松与微控制器、DSP或PWM控制器接口，无需额外的电平转换电路。这种兼容性增强了其在数字控制电源系统中的适用性。同时，器件内部集成了死区时间控制功能，自动在高低边输出之间插入短暂的关闭时间，有效防止由于开关延迟不一致导致的“击穿”现象，即上下桥臂同时导通造成的短路电流，从而提升系统安全性。
　　IR2186S还具备完善的保护机制，包括欠压锁定（UVLO），当VCC或浮动电源电压低于设定阈值时，输出将被强制关闭，避免因驱动电压不足导致MOSFET工作在线性区而引发过热损坏。此外，该器件具有较强的抗dv/dt噪声能力，可在高开关速度下保持稳定运行，减少误触发风险。
　　其图腾柱输出级提供快速的上升和下降时间，有助于减小开关损耗，提高整体效率。尽管输出电流能力为200mA，适合驱动中小功率MOSFET，但在驱动大栅电荷器件时可能需要外接缓冲晶体管。总体而言，IR2186S以其高集成度、高可靠性和易用性，在工业控制、消费电子和电源管理系统中得到了广泛应用。

IR2186S广泛应用于各类需要高效功率开关控制的场合。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC变换器和离线式电源，其中它用于驱动半桥拓扑中的MOSFET，实现高效的能量转换。在电机驱动领域，该芯片可用于小型直流无刷电机（BLDC）和步进电机的驱动电路中，尤其适用于风扇、泵和家用电器等中低功率设备。
　　此外，IR2186S也常见于逆变器系统，如太阳能逆变器、UPS不间断电源和变频器中，作为桥式电路的驱动核心。其高压耐受能力和稳定的驱动性能使其能在这些高要求环境中长期可靠运行。在照明应用中，如高强度放电灯（HID）和LED驱动电源，IR2186S可用于控制高频开关以调节光输出。
　　由于其封装小巧且无需隔离变压器，IR2186S特别适合空间受限的设计。在自动化控制、工业传感器电源和智能电源模块中也有广泛应用。其低成本、高性能的特点使其成为中低压功率驱动应用的理想选择。

IR2110S, IR2113S, IRS2184S, IRS21844, UCC27324