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IR21834STRPBF 发布时间 时间:2024/3/26 16:57:29 查看 阅读:229

IR21834STRPBF是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达600伏。

基础介绍

  厂商型号:IR21834STRPBF

  品牌名称:Infineon(英飞凌)

  元件类别:栅极驱动IC

  封装规格:14-SOIC

  型号介绍:600 V 半桥驱动器

特点

  专为自举操作设计的浮动通道

  完全运行时的电压高达 +600 V

  容许负瞬态电压高

  不受 dV/dt 影响

  栅极驱动电源范围:10 至 20V

  双通道欠压锁定

  3.3V 和 5V 输入逻辑兼容

  双通道的匹配传播延迟

  逻辑和电源接地 +/- 5V 偏移

  较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性

  输出拉/灌电流能力 1.4A/1.8A

中文参数

  商品分类:栅极驱动IC

  品牌:Infineon(英飞凌)

  封装:14-SOIC

  包装:圆盘

  电压-供电:10V~20V

  工作温度:-40°C~150°C(TJ)

  安装类型:表面贴装型

  基本产品编号:IR21834

  HTSUS:8542.39.0001

  驱动配置:半桥

  通道类型:独立式

  驱动器数:2

  栅极类型:IGBT,N沟道MOSFET

  逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2.7V

  电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A

  输入类型:反相,非反相

  上升/下降时间(典型值):40ns,20ns

  高压侧电压-最大值(自举)600V

  产品应用汽车级

环境与出口分类

  RoHS状态:符合ROHS3规范

  湿气敏感性等级(MSL):3(168小时)

  REACH状态:非REACH产品

  ECCN:EAR99

原理图

IR21834STRPBF原理图

IR21834STRPBF原理图

引脚

IR21834STRPBF原理图

IR21834STRPBF引脚图

封装

IR21834STRPBF封装图

IR21834STRPBF封装

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IR21834STRPBF图片

IR21834STRPBF

IR21834STRPBF产品

IR21834STRPBF参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置半桥
  • 输入类型反相和非反相
  • 延迟时间180ns
  • 电流 - 峰1.9A
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)600V
  • 电源电压10 V ~ 20 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装14-SOIC(窄型)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IR21834SPBFTRIR21834STRPBF-NDIR21834STRPBFTR-ND