IR21834STRPBF是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达600伏。
专为自举操作设计的浮动通道
完全运行时的电压高达 +600 V
容许负瞬态电压高
不受 dV/dt 影响
栅极驱动电源范围:10 至 20V
双通道欠压锁定
3.3V 和 5V 输入逻辑兼容
双通道的匹配传播延迟
逻辑和电源接地 +/- 5V 偏移
较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
输出拉/灌电流能力 1.4A/1.8A
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:14-SOIC
包装:圆盘
电压-供电:10V~20V
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
基本产品编号:IR21834
HTSUS:8542.39.0001
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N沟道MOSFET
逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2.7V
电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A
输入类型:反相,非反相
上升/下降时间(典型值):40ns,20ns
高压侧电压-最大值(自举)600V
产品应用汽车级
湿气敏感性等级(MSL):3(168小时)
REACH状态:非REACH产品
ECCN:EAR99
IR21834STRPBF原理图
IR21834STRPBF引脚图
IR21834STRPBF封装