IR2175S 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高端高压栅极驱动芯片,专为功率MOSFET和IGBT的驱动而设计。该芯片具有电平移位功能,支持高侧和低侧驱动,适用于半桥拓扑结构。其内部集成了自举二极管,并提供欠压锁定(UVLO)、短路保护以及快速关断等功能,确保系统的安全性和可靠性。
IR2175S 的典型应用包括电机控制、开关电源(SMPS)、逆变器和各种工业功率转换设备。
供电电压:10V 至 20V
最大输出电流:4A
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
传播延迟:65ns(典型值)
通道间匹配延迟:25ns(典型值)
逻辑输入兼容性:标准CMOS/TTL
保护功能:欠压锁定、短路保护
封装形式:SOIC-8
IR2175S 的主要特性如下:
1. 高压浮动通道设计,支持高达600V的 bootstrap 电容操作。
2. 内置自举二极管,简化外部元件需求。
3. 短路保护机制,防止过流损坏。
4. 快速关断能力,有效降低系统功耗。
5. 低传播延迟及高匹配精度,确保在高频应用中的性能。
6. 宽工作电压范围,适应多种应用场景。
7. 工作温度范围宽广,适合恶劣环境下的使用。
8. CMOS/TTL 兼容输入,便于与各种控制器接口。
IR2175S 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(Switch Mode Power Supply, SMPS),用于提高效率和稳定性。
2. 电机驱动和控制,如无刷直流电机(BLDC)驱动。
3. 逆变器设计,例如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 各类工业自动化设备中的功率转换模块。
5. LED 驱动器和电子镇流器等需要高效功率管理的场合。
IR2175