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IR2172STRPBF 发布时间 时间:2025/12/26 21:10:28 查看 阅读:12

IR2172STRPBF是一款由Infineon Technologies推出的高边和低边栅极驱动器IC,专为功率MOSFET和IGBT的驱动应用设计。该器件属于高压栅极驱动系列,具备出色的噪声抑制能力和高抗干扰性能,适用于需要高效、可靠驱动的开关电源系统。IR2172S采用自举技术实现高边驱动,能够支持高达600V的母线电压,广泛应用于电机控制、逆变器、DC-AC转换器以及各类工业电源系统中。该芯片集成了多项保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、逻辑互锁以及死区时间控制,确保在复杂电磁环境下依然稳定运行。IR2172STRPBF采用SOIC-8封装,符合RoHS环保标准,并具备良好的散热性能和可靠性,适合在严苛工业环境中长期使用。此外,其内部集成的电平移位电路允许低电压逻辑信号直接控制高侧开关器件,简化了系统设计并减少了外围元件数量。该器件的工作温度范围通常为-40°C至+125°C,适用于宽温环境下的应用需求。由于其高集成度与稳定性,IR2172STRPBF成为许多中高功率电源拓扑结构中的关键驱动组件之一。

参数

型号:IR2172STRPBF
  制造商:Infineon Technologies
  封装类型:SOIC-8
  通道类型:高边/低边双通道
  最大供电电压:25V
  输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
  峰值输出电流:500mA
  驱动电压范围:10V 至 20V(推荐15V)
  最大开关频率:500kHz
  自举二极管集成:否
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  耐压能力(BST对地):600V
  传播延迟时间:约200ns
  上升时间(典型值):50ns
  下降时间(典型值):50ns
  输入反相功能:支持
  输出互锁机制:内置
  UVLO保护:具备
  安装方式:表面贴装

特性

IR2172STRPBF具备优异的高压驱动能力与系统可靠性,其核心优势在于采用了先进的电平移位技术和高噪声免疫输入逻辑架构。该器件能够在高达600V的母线电压下稳定工作,通过自举电路实现高边MOSFET或IGBT的有效驱动,无需隔离电源即可完成高压侧开关控制,从而显著降低系统成本与复杂度。其内部集成的逻辑互锁功能可防止上下桥臂同时导通,有效避免直通短路风险,提升系统的安全性和稳定性。
  该芯片具有宽输入电压兼容性,支持TTL和CMOS逻辑电平输入,便于与各种微控制器、DSP或PWM控制器直接接口。其输出级采用图腾柱结构,提供快速的上升和下降响应,确保开关损耗最小化,提高整体能效。同时,内置的欠压锁定(UVLO)电路会对VCC和VBST电源进行实时监测,当供电电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止因驱动不足导致的器件损坏。
  IR2172STRPBF还具备出色的抗dV/dt干扰能力,在高电压快速切换环境中仍能保持信号完整性,减少误触发的可能性。其SOIC-8封装不仅节省PCB空间,而且便于自动化生产装配。此外,该器件经过严格的老化测试和质量控制流程,保证了在工业级温度范围内长期运行的可靠性。对于需要紧凑设计且对稳定性要求较高的功率转换系统而言,IR2172STRPBF是一个理想的选择。

应用

IR2172STRPBF广泛应用于多种电力电子变换系统中,尤其适用于半桥、全桥及推挽式拓扑结构的功率驱动电路。典型应用场景包括交流电机驱动器、无刷直流电机(BLDC)控制器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、开关模式电源(SMPS)以及感应加热设备等。在这些系统中,它常被用于驱动上桥臂和下桥臂的功率开关器件,如N沟道MOSFET或IGBT模块,实现高效的能量转换与精确的时序控制。
  在电机控制领域,IR2172STRPBF配合微处理器生成的PWM信号,可以实现对三相逆变器的精确驱动,保障电机平稳启动与高效运行。在光伏逆变系统中,该芯片用于DC-AC转换环节的功率桥臂驱动,有助于提升系统效率并增强抗干扰能力。此外,在工业电源和焊接设备中,其高耐压特性和稳定的输出性能使其能够适应恶劣的电气环境,确保长时间连续运行不发生故障。
  由于其无需光耦隔离即可实现高边驱动的能力,IR2172STRPBF也常用于简化传统隔离电源设计,减少元器件数量并提高系统集成度。无论是消费类高端电源产品还是工业级动力控制系统,该器件都能提供可靠的驱动解决方案。

替代型号

IRS2172STRPBF
  IR2110S
  IR2184S
  UCC27531

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