时间：2025/7/16 12:41:01
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IR2130JPBF 是一款高性能的高压栅极驱动器，专为需要高效功率转换的应用而设计。它采用增强型绝缘硅（SOI）技术制造，能够提供快速、准确的驱动信号，并具备高dv/dt抗扰能力，适用于多种功率MOSFET和IGBT的驱动场景。
该器件具有独立的高端和低端输入通道，支持直接PWM控制或锁存模式操作。此外，IR2130JPBF还内置了欠压锁定保护（UVLO）、短路保护和自举二极管功能，确保系统的可靠性和稳定性。
供电电压：10V至20V
逻辑输入电压：3.3V兼容
输出电流：峰值3A
工作温度范围：-40°C至125°C
传播延迟：50ns典型值
封装形式：PDIP-8, SOIC-8
最小导通时间：50ns
关断时间：50ns典型值
IR2130JPBF 的主要特性包括：
1. 高压浮动通道设计，支持高达600V的自举操作。
2. 内置自举二极管，简化外部元件需求。
3. 独立的高端和低端输入，支持灵活的PWM控制模式。
4. 快速开关速度，降低开关损耗。
5. 强大的输出驱动能力，适合驱动大功率MOSFET和IGBT。
6. 内置欠压锁定保护（UVLO），防止在低电压条件下误动作。
7. 支持直接PWM输入或锁存模式，适应不同应用需求。
8. 工作温度范围广，适用于恶劣环境下的应用。
IR2130JPBF 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 电机驱动控制器
2. 开关电源（SMPS）
3. 逆变器和不间断电源（UPS）
4. 荧光灯电子镇流器
5. 电焊机和工业电源
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统
其强大的驱动能力和灵活性使其成为这些领域的理想选择。
IR2130S, IR2130TRPBF
