类型：高压栅极驱动器
　　通道类型：半桥驱动器
　　配置：高边/低边
　　输入逻辑：CMOS/TTL兼容
　　最大工作电压（VBUS）：600 V
　　电源电压范围（VDD）：10 V 至 20 V
　　逻辑侧电压（VCC）：5 V 至 15 V
　　峰值输出电流：±2.0 A
　　传播延迟时间：典型值85 ns
　　上升时间（典型值）：15 ns（1000 pF负载）
　　下降时间（典型值）：10 ns（1000 pF负载）
　　死区时间：内置防直通逻辑
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-16
　　隔离电压：>5000 Vrms（通过封装实现）
　　电平位移技术：集成浮动通道

IR2113L6采用了先进的高边浮地技术，使得高边驱动器可以在不断变化的源极电压下正常工作，这在半桥或全桥拓扑中至关重要。其核心特性之一是内置的电平位移电路，允许逻辑侧的低压控制信号（通常来自微控制器或PWM控制器）被准确传递到高压侧的功率器件栅极，即使高边参考点相对于地电位浮动也能可靠工作。这种设计极大地简化了高压功率电路的驱动方案，无需额外的隔离元件如光耦或脉冲变压器，从而降低了系统成本和复杂度。
　　该芯片具备强大的输出驱动能力，峰值拉电流和灌电流均达到±2.0A，能够快速充放电功率MOSFET或IGBT的栅极电容，显著减少开关损耗并提高系统效率。这对于高频开关应用尤为重要，有助于实现更高的功率密度和更好的热管理。同时，短的传播延迟和匹配的上升/下降时间保证了精确的时序控制，减少了开关过程中的交越导通风险。
　　IR2113L6集成了完善的欠压锁定（UVLO）保护机制，分别对高端和低端电源进行监测。一旦检测到VCC或VBUS电压低于安全阈值，输出将被强制拉低，防止在供电不足的情况下发生非预期的开关动作，保护后级功率器件免受损害。这一功能增强了整个系统的鲁棒性，特别是在启动或异常工况下表现尤为关键。
　　此外，该器件具有良好的噪声抑制能力和抗干扰设计，能够在高dV/dt环境下保持稳定运行，避免虚假触发。其SOIC-16封装不仅提供了足够的引脚间距以满足高压绝缘要求，还便于自动化贴装和回流焊工艺，适用于大规模生产。整体而言，IR2113L6是一款高性能、高可靠性的栅极驱动解决方案，特别适合用于中高功率开关电源和电机驱动系统。

IR2113L6广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效、可靠地控制功率开关器件的场合。一个典型的应用场景是三相或单相逆变器系统，例如太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和变频器中，它被用来驱动构成H桥或半桥结构的MOSFET或IGBT模块，实现直流到交流的能量转换。由于其高集成度和出色的驱动性能，能够有效提升逆变器的整体效率和动态响应能力。
　　在电机控制系统中，尤其是无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）驱动器中，IR2113L6常作为主功率级的驱动单元，配合微控制器产生的PWM信号，精确控制电机绕组的通断顺序和电流流向，从而实现平稳调速和高扭矩输出。这类应用对驱动器的响应速度和抗干扰能力要求极高，而IR2113L6凭借其快速的开关特性和稳定的电平位移功能，表现出色。
　　此外，在各类开关模式电源（SMPS）设计中，如LLC谐振变换器、有源钳位反激式电源等拓扑结构中，该芯片可用于驱动初级侧的功率开关管，尤其适用于需要高边驱动的场景。其宽电压工作范围和内置保护机制使其适应不同的输入电压等级和负载条件。
　　工业自动化设备中的功率模块控制、电磁加热系统、电动工具驱动板以及电动汽车车载充电机（OBC）等也是IR2113L6的重要应用领域。总之，凡是涉及高压、高频、大电流开关控制的电子系统，IR2113L6都能提供稳定可靠的驱动支持。

IR2110S
　　IR2113
　　IRS2113
　　UCC27531
　　MAX20004