型号：IR2113-2PBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　系列：IR21xx
　　封装类型：PDIP-8
　　通道类型：高低端/半桥
　　输出类型：图腾柱
　　电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：10V ~ 20V
　　电流 - 输出（峰值）：2.0A
　　输入类型：非反相
　　逻辑电压 - VIL, VIH：0.8V, 2.2V（典型值）
　　上升时间 (Tr)：45ns（典型值）
　　下降时间 (Tf)：30ns（典型值）
　　传播延迟：约120ns（典型值）
　　高端偏置电压（VBUS）：最高600V
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　导通时间匹配：±10ns（典型值）
　　关断时间匹配：±10ns（典型值）
　　隔离电压：1100Vrms（最小值，持续1分钟）
　　安装方式：通孔（Through Hole）

IR2113-2PBF具备多项关键特性，确保其在复杂电力电子环境下的高性能与高可靠性。首先，它采用了高压电平位移技术，使得低端输入逻辑信号可以被准确传递至高端浮地输出端，从而支持高端N沟道MOSFET在升压或半桥配置中的正常工作。这种设计避免了使用复杂的隔离电源或P沟道器件，显著降低了系统成本与体积。其次，该芯片内置了快速且对称的驱动能力，提供高达2A的峰值输出电流，在开关瞬间可迅速充放栅极电荷，有效减少开关损耗并提升整体效率。同时，上升时间和下降时间分别仅为45ns和30ns，保证了在高频PWM操作下的精确响应。
　　另一个重要特性是其宽泛的电源供电范围（10V–20V），兼容多种逻辑电平输入，并可通过外部自举二极管和电容构建高效的自举电源系统。此外，IR2113-2PBF集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当VCC或VB电压低于安全阈值时，会自动禁用输出以防止误导通导致直通短路，极大增强了系统的安全性。该芯片还具备良好的噪声抑制能力，输入端设有施密特触发器整形电路，能有效滤除输入信号中的毛刺和干扰，提高抗电磁干扰（EMI）性能。
　　IR2113-2PBF的热稳定性优异，在-40°C到+125°C的工业级温度范围内均可稳定工作，适合部署于变频器、伺服驱动器等温变剧烈的应用场景。其PDIP-8封装不仅便于手工焊接与原型开发，也提供了足够的电气间隙和爬电距离，满足高压应用的安全绝缘要求。总体而言，这些特性使IR2113-2PBF成为一个坚固、灵活且易于使用的栅极驱动解决方案。

IR2113-2PBF主要应用于各类需要驱动高压、高频功率开关器件的电力电子系统中。典型应用包括交流电机驱动器、直流无刷电机（BLDC）控制器以及通用开关电源（SMPS）。在这些系统中，它常用于驱动半桥拓扑中的上下两个N沟道MOSFET或IGBT，实现高效的能量转换与精确的相位控制。例如，在三相逆变器中，每相可由一个类似IR2113的驱动器控制一对开关管，配合微控制器输出的PWM信号完成正弦波或方波输出。
　　此外，该芯片也广泛用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、感应加热设备和小型变频器等工业控制领域。由于其具备高耐压能力和良好的瞬态响应性能，特别适合在母线电压达到数百伏的系统中作为核心驱动单元。在消费类高端电源产品如LED驱动电源或数字功放中，IR2113-2PBF也可用于同步整流或H桥驱动电路，提升系统效率与可靠性。
　　教育与研发领域同样青睐该器件，因其通孔封装易于插接在实验板上进行测试与验证，非常适合教学演示和原型开发。工程师可以通过调节外部栅极电阻、优化自举电路参数来研究不同开关频率下的损耗特性与EMI表现。总之，IR2113-2PBF凭借其成熟的架构和稳定的性能，已成为众多中低功率电力变换系统的标准驱动选择之一。

IR2110S-1PBF
　　IR2113S
　　IR2118PBF
　　IRS21863PBF
　　UCC27324P