时间：2024/3/27 16:26:34
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IR2110STRPBF是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲阶段，设计为最小的驱动器的交叉传导。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高达500或600伏特的高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT。
●专为自举操作设计的浮动通道
●完全运行时的电压高达 +500 V
●提供完全运行时的电压高达+600 V 的版本 (IR2113 )
●不受 dV/dt 影响
●栅极驱动电源范围：10 至 20V
●双通道欠压锁定
●3.3 V 逻辑兼容
●独立的逻辑供电电压范围：3.3 V 至 20 V
●逻辑和电源接地 +/- 5V 偏移
●具有下拉的 CMOS 施密特触发输入
●逐周期边缘触发关断逻辑
●双通道的匹配传播延迟
●输出与输入同相
| 分类 | 场效应管(MOSFET) | 逻辑电压 - VIL，VIH | 6V，9.5V |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) | 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 2A，2A |
| 系列 | IR2110 | 输入类型 | 非反相 |
| 驱动配置 | 半桥 | 高压侧电压 - 最大值（自举） | 500 V |
| 通道类型 | 独立式 | 上升/下降时间（典型值） | 25ns，17ns |
| 驱动器数 | 2 | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 电压 - 供电 | 3.3V ~ 20V | 封装 | 16-SOIC |
IR2110STRPBF原理图
IR2110STRPBF引脚图
IR2110STRPBF封装
