IR2110SPBF是由Infineon(英飞凌)生产的一款高压半桥驱动器芯片,适用于各种功率转换应用。该芯片集成了自举功能,能够有效地驱动N沟道MOSFET或IGBT,特别适合于需要高侧和低侧驱动的场景。其设计支持高达600V的电压隔离,并具有快速传播延迟和较强的抗噪能力,广泛应用于电机控制、开关电源、逆变器等领域。
IR2110SPBF采用SO-8封装形式,具备逻辑输入兼容标准CMOS/TTL电平的特点,使其易于与微控制器或其他数字电路连接。
供电电压:10V~20V
最高耐压:600V
工作温度范围:-40℃~125℃
传播延迟:75ns(典型值)
持续输出电流:2A
封装形式:SO-8
IR2110SPBF是一款高性能的高压半桥驱动器,具有以下主要特性:
1. 高低压侧独立驱动通道,支持N沟道MOSFET/IGBT的高效驱动。
2. 内置自举二极管,简化高侧驱动电源的设计。
3. 提供欠压锁定保护功能(UVLO),确保芯片在不安全的工作条件下关闭输出。
4. 输入引脚兼容标准CMOS/TTL电平,方便与多种控制信号接口。
5. 低传播延迟时间,适合高频开关应用。
6. 强大的抗噪声性能,能够在恶劣环境下稳定工作。
7. 封装紧凑,适用于空间受限的应用场景。
IR2110SPBF因其优异的性能和可靠性,被广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率级驱动。
2. 电机驱动控制,包括无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)。
3. 家用电器中的逆变器模块,如空调、冰箱等。
4. 工业设备中的变频器和伺服驱动器。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 电动车窗、座椅调节等汽车电子系统中的功率驱动部分。
IR2110S,
IR2113,
TC4427,
IXDN404