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IR2110SPBF 发布时间 时间:2025/7/16 12:39:38 查看 阅读:5

IR2110SPBF是由Infineon(英飞凌)生产的一款高压半桥驱动器芯片,适用于各种功率转换应用。该芯片集成了自举功能,能够有效地驱动N沟道MOSFET或IGBT,特别适合于需要高侧和低侧驱动的场景。其设计支持高达600V的电压隔离,并具有快速传播延迟和较强的抗噪能力,广泛应用于电机控制、开关电源、逆变器等领域。
  IR2110SPBF采用SO-8封装形式,具备逻辑输入兼容标准CMOS/TTL电平的特点,使其易于与微控制器或其他数字电路连接。

参数

供电电压:10V~20V
  最高耐压:600V
  工作温度范围:-40℃~125℃
  传播延迟:75ns(典型值)
  持续输出电流:2A
  封装形式:SO-8

特性

IR2110SPBF是一款高性能的高压半桥驱动器,具有以下主要特性:
  1. 高低压侧独立驱动通道,支持N沟道MOSFET/IGBT的高效驱动。
  2. 内置自举二极管,简化高侧驱动电源的设计。
  3. 提供欠压锁定保护功能(UVLO),确保芯片在不安全的工作条件下关闭输出。
  4. 输入引脚兼容标准CMOS/TTL电平,方便与多种控制信号接口。
  5. 低传播延迟时间,适合高频开关应用。
  6. 强大的抗噪声性能,能够在恶劣环境下稳定工作。
  7. 封装紧凑,适用于空间受限的应用场景。

应用

IR2110SPBF因其优异的性能和可靠性,被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率级驱动。
  2. 电机驱动控制,包括无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)。
  3. 家用电器中的逆变器模块,如空调、冰箱等。
  4. 工业设备中的变频器和伺服驱动器。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  6. 电动车窗、座椅调节等汽车电子系统中的功率驱动部分。

替代型号

IR2110S,
  IR2113,
  TC4427,
  IXDN404

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IR2110SPBF参数

  • 标准包装45
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置高端和低端,独立
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间120ns
  • 电流 - 峰2.5A
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)500V
  • 电源电压10 V ~ 20 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC
  • 包装管件