时间：2024/3/27 15:17:20
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IR2101STRPBF是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。
为bootstrap操作设计的浮地通道
可在+600V完全运行
容许负瞬变电压
有一定的dV/dt抗扰能力
栅极驱动电源范围10至20V
欠电压锁止
3.3V、5V，和15V逻辑输入兼容
两个通道的传播延迟相匹配
输出与输入同相(IR2101)或与输入反相(IR2102)
| 商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | Infineon(英飞凌） |
| 封装 | 8-SOIC | 包装 | 圆盘 |
| 电压-供电 | 10V~20V | 工作温度 | -40°C~150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | IR2101 |
| HTSUS | 8542.39.0001 | 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT，N沟道MOSFET | 逻辑电压-VIL，VIH | 0.8V，3V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 210mA，360mA | 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 100ns，50ns | 高压侧电压-最大值（自举） | 600V |
| 产品应用 | 汽车级 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | 湿气敏感性等级(MSL) | 2（1年） |
| REACH状态 | 非REACH产品 | ECCN | EAR99 |
IR2101STRPBF原理图
IR2101STRPBF引脚图
IR2101STRPBF封装
