IR2101STRPBF是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可达600伏。
为bootstrap操作设计的浮地通道
可在+600V完全运行
容许负瞬变电压
有一定的dV/dt抗扰能力
栅极驱动电源范围10至20V
欠电压锁止
3.3V、5V,和15V逻辑输入兼容
两个通道的传播延迟相匹配
输出与输入同相(IR2101)或与输入反相(IR2102)
商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | Infineon(英飞凌) |
封装 | 8-SOIC | 包装 | 圆盘 |
电压-供电 | 10V~20V | 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | IR2101 |
HTSUS | 8542.39.0001 | 驱动配置 | 半桥 |
通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 |
栅极类型 | IGBT,N沟道MOSFET | 逻辑电压-VIL,VIH | 0.8V,3V |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 210mA,360mA | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 100ns,50ns | 高压侧电压-最大值(自举) | 600V |
产品应用 | 汽车级 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | 湿气敏感性等级(MSL) | 2(1年) |
REACH状态 | 非REACH产品 | ECCN | EAR99 |
IR2101STRPBF原理图
IR2101STRPBF引脚图
IR2101STRPBF封装