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IR2101 发布时间 时间:2025/3/25 14:01:02 查看 阅读:4

IR2101是一款由英飞凌(Infineon)生产的高压侧和低压侧驱动器集成电路,广泛应用于功率MOSFET和IGBT的驱动电路中。该芯片支持自举操作,能够高效驱动高侧开关,并且具有短路保护和欠压锁定功能,适用于电机控制、电源管理以及逆变器等应用领域。
  IR2101的设计目的是提供一种简单而高效的解决方案,用于在半桥或全桥拓扑结构中驱动功率开关器件。它通过集成的电平转换技术实现了对高侧和低侧开关的同时控制,从而减少了外部元件数量并提高了系统的可靠性。

参数

供电电压(VCC):10V~20V
  逻辑输入电压(VS):-0.3V~VS+0.3V
  输出驱动能力:峰值电流±2A
  工作温度范围:-40℃~125℃
  最大持续输出电流:±1A
  传播延迟时间:典型值80ns
  封装形式:PDIP-8, SOIC-8

特性

1. 高压侧浮动通道设计,支持高达600V的N沟道MOSFET或IGBT。
  2. 内置死区时间控制,避免了高侧和低侧开关同时导通导致的直通问题。
  3. 提供独立的高侧和低侧输入引脚,便于实现复杂波形的生成。
  4. 具有欠压锁定保护(UVLO),当供电电压低于安全阈值时会自动关闭输出以保护设备。
  5. 短路保护功能可防止因负载异常引起的损坏。
  6. 芯片内部集成了 shoot-through protection,进一步增强了系统的稳定性。
  7. 支持宽泛的工作电压范围,适应多种应用场景需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的PWM控制器,用于实现高效的能量转换。
  2. 电机驱动器,特别是在无刷直流电机(BLDC)控制中作为功率级驱动。
  3. 逆变器系统,例如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率开关驱动。
  4. 各类工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. LED驱动器以及其他需要精确控制功率开关的应用领域。

替代型号

IR2104, IR2110, IR2109

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IR2101参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置高端和低端,独立
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间160ns
  • 电流 - 峰210mA
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)600V
  • 电源电压10 V ~ 20 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳8-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商设备封装8-DIP
  • 包装管件
  • 其它名称*IR2101