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IR2010STRPBF 发布时间 时间:2025/4/28 11:44:42 查看 阅读:2

IR2010STRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能功率MOSFET驱动器芯片,主要应用于半桥和全桥拓扑结构的功率转换电路。它能够提供高侧和低侧驱动能力,支持自举电源操作,并具有快速开关特性和高抗噪能力。
  该芯片采用DPAK封装形式(TO-252),具有良好的散热性能,适用于多种工业和消费类应用,如电机驱动、开关电源、逆变器等场景。

参数

供电电压:10V 至 20V
  输出驱动电流:峰值可达±6A
  输入电容:8nF(典型值)
  传播延迟:49ns(典型值,高侧)/ 37ns(典型值,低侧)
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装形式:DPAK(TO-252)

特性

IR2010STRPBF 具有以下主要特点:
  1. 高侧和低侧驱动能力,适用于半桥或全桥拓扑结构。
  2. 支持自举电容供电,简化高侧驱动电路设计。
  3. 内置死区时间控制,防止上下桥臂直通问题。
  4. 输入兼容标准CMOS和LSTTL逻辑电平信号,便于与控制器接口连接。
  5. 快速开关特性,有助于减少开关损耗并提高效率。
  6. 较高的抗噪能力,适合复杂电磁环境下的应用。
  7. 良好的热性能和可靠性,适应恶劣的工作条件。

应用

IR2010STRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流驱动。
  2. 电机驱动器中的功率级控制。
  3. 逆变器和DC-DC转换器的功率开关驱动。
  4. 各种需要高效功率转换的工业设备和家用电器中。
  5. 大功率LED驱动器和其他相关应用。

替代型号

IR2110, IR2104

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IR2010STRPBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置高端和低端,独立
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间95ns
  • 电流 - 峰3A
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)200V
  • 电源电压10 V ~ 20 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC
  • 包装带卷 (TR)