时间：2025/4/30 9:23:06
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IR19-21C/TR8 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TO-263-3 封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景中。
其设计旨在提供高效的功率转换和较低的导通电阻特性，同时具备出色的热性能与电气性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：27nC
功耗：27W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IR19-21C/TR8 具有低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
此外，该器件还拥有快速开关速度，能够有效降低开关损耗。
由于采用了先进的制造工艺，这款 MOSFET 在高温环境下依然表现出色，并且具备较高的可靠性。
其封装形式 TO-263-3 提供了良好的散热性能，便于在高功率密度的应用中使用。
这款 MOSFET 常用于各种工业和消费类电子设备中的功率管理电路。
典型应用场景包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS)
- 电机驱动控制
- 各类 DC-DC 转换器
- 笔记本电脑适配器
- 通信设备中的功率级模块
此外，它也适用于需要。
IRLZ44N, FDP5500
