类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：60A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大20mΩ（在Vgs=10V）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PG-HSOF-5-1（表面贴装）

IQD020N10NM5SC 具备非常低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其先进的沟槽栅技术优化了栅极电荷（Qg），从而降低了开关损耗，使得在高频开关应用中表现优异。该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在高压尖峰环境下的可靠性。此外，IQD020N10NM5SC 的热阻较低，能够有效散热，适用于高功率密度设计。其坚固的封装结构和宽工作温度范围使其适用于严苛的工作环境，例如汽车电子和工业自动化设备。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的应用场景。
　　另一个重要特性是该器件具备出色的栅极氧化层可靠性，确保在长期工作条件下保持稳定的性能。同时，其低Qrr（反向恢复电荷）的体二极管特性，有助于减少与二极管相关的开关损耗。这些特性使得 IQD020N10NM5SC 成为高效率电源转换、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。

该MOSFET广泛应用于各类高功率密度和高效率电力电子系统中，例如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制、工业自动化设备以及汽车电子中的电机驱动和功率控制模块。其优异的导通和开关性能也使其适用于太阳能逆变器、UPS系统和储能系统中的功率开关电路。

IPD020N10N3 G OPTI MOSFET, STP60NF10LD N沟道MOSFET