时间：2025/12/25 6:37:44
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IPW80R280P7 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET晶体管，属于OptiMOS?系列。该器件采用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和卓越的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用。IPW80R280P7 通常采用P沟道结构，封装形式为PG-TDSON-8（也称为SuperSO8），具备优良的散热能力，适合在高电流、高频开关条件下工作。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：80V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(on)）：2.8mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PG-TDSON-8（SuperSO8）
功率耗散（PD）：100W
阈值电压（VGS(th)）：约2.3V
输入电容（Ciss）：约2200pF
开关时间（ton/off）：纳秒级别
IPW80R280P7 是一款专为高效率电源系统设计的功率MOSFET，其核心特性在于低导通电阻（RDS(on)）和优异的热管理能力。其RDS(on)值仅为2.8mΩ，极大地降低了导通损耗，使得在高电流应用中也能保持较低的温升。该器件采用了Infineon的OptiMOS?技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出色。
此外，IPW80R280P7 采用SuperSO8（PG-TDSON-8）封装，具有出色的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。其封装结构也使得PCB布局更加紧凑，有助于减少寄生电感，提高系统的稳定性和效率。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（最高可达+20V），允许使用标准的12V或10V驱动电路，兼容性强。同时，其具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常工况下的可靠性。
IPW80R280P7 还具备快速开关特性，开关时间处于纳秒级别，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制等高频应用。整体来看，该器件在性能、可靠性和封装设计上都具备显著优势。
IPW80R280P7 广泛应用于各种高效率电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
1. 同步整流：用于高效率AC-DC和DC-DC转换器中，作为整流元件，提高系统效率并减少热量产生。
2. DC-DC转换器：适用于服务器电源、电信设备和笔记本电脑适配器中的Buck、Boost和Flyback拓扑结构。
3. 负载开关：用于电池管理系统、电源管理模块中，实现对负载的高效控制与隔离。
4. 电机驱动：在直流无刷电机控制和电动工具中作为功率开关元件，提供快速响应和高效能。
5. 热插拔系统：用于服务器和存储设备中，实现安全的热插拔操作，防止电流冲击。
6. 工业自动化与电源管理模块：适用于PLC、变频器、UPS不间断电源等工业设备中，提升整体系统效率和稳定性。
IPW80R280E2502, IPP80R280P7S, IPW90R280P7
