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IPW60R165CP 发布时间 时间:2025/4/28 15:52:26 查看 阅读:7

IPW60R165CP是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能MOSFET功率晶体管,采用PQFN5x6-8L封装。这款器件属于OptiMOS系列,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能等特性,广泛应用于各种电源管理场景。该器件适用于要求高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品。

参数

型号:IPW60R165CP
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻,25°C):165mΩ
  ID(连续漏极电流):34A
  栅极电荷(Qg):19nC
  封装形式:PQFN5x6-8L
  工作温度范围:-55°C to 175°C

特性

IPW60R165CP具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,能够降低开关损耗,并支持高频应用。
  3. 高雪崩能力,确保在恶劣条件下具备更高的可靠性。
  4. 小型化的PQFN封装设计,节省了PCB空间,同时提升了散热性能。
  5. 广泛的工作温度范围,适应多种环境下的使用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。

应用

IPW60R165CP适合于多种应用场合,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的功率级开关元件。
  3. 电机驱动控制电路。
  4. 工业逆变器和不间断电源(UPS)。
  5. 消费电子设备中的负载开关和保护电路。
  6. 电池管理系统中的充放电控制开关。
  其高效的特性和紧凑的设计使其成为众多功率应用的理想选择。

替代型号

IPD60R165PFP7, IRF6610

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IPW60R165CP参数

  • 数据列表IPW60R165CP
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 790µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 100V
  • 功率 - 最大192W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称IPW60R165CPXIPW60R165CPXKSP000095483