时间：2025/4/28 15:52:26
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IPW60R165CP是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能MOSFET功率晶体管，采用PQFN5x6-8L封装。这款器件属于OptiMOS系列，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能等特性，广泛应用于各种电源管理场景。该器件适用于要求高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品。
型号：IPW60R165CP
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，25°C）：165mΩ
ID（连续漏极电流）：34A
栅极电荷（Qg）：19nC
封装形式：PQFN5x6-8L
工作温度范围：-55°C to 175°C
IPW60R165CP具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，能够降低开关损耗，并支持高频应用。
3. 高雪崩能力，确保在恶劣条件下具备更高的可靠性。
4. 小型化的PQFN封装设计，节省了PCB空间，同时提升了散热性能。
5. 广泛的工作温度范围，适应多种环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺制造。
IPW60R165CP适合于多种应用场合，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的功率级开关元件。
3. 电机驱动控制电路。
4. 工业逆变器和不间断电源（UPS）。
5. 消费电子设备中的负载开关和保护电路。
6. 电池管理系统中的充放电控制开关。
其高效的特性和紧凑的设计使其成为众多功率应用的理想选择。
IPD60R165PFP7, IRF6610
