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IPW60R070C6 发布时间 时间:2025/4/28 19:57:34 查看 阅读:3

IPW60R070C6 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道艗 渠道功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关效率的特点,适合用于各种电源转换、电机驱动和负载开关应用。
  IPW60R070C6 的封装形式为 D2PAK-3 (TO-263),其设计旨在满足高性能功率管理的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:95A
  导通电阻(典型值):7.0mΩ
  栅极电荷(典型值):18nC
  输入电容(典型值):1460pF
  总功耗:234W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IPW60R070C6 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗。
  2. 高电流处理能力,适用于大功率应用。
  3. 优化的开关性能,有助于提高系统效率。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 紧凑的封装设计,便于 PCB 布局和安装。
  这款 MOSFET 在设计时充分考虑了高效能和可靠性,使其成为工业和汽车领域中许多应用的理想选择。

应用

IPW60R070C6 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 电机驱动器,尤其是电动汽车和工业自动化中的无刷直流电机控制。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节。
  4. 各种 DC-DC 转换器模块。
  5. 电池管理系统中的负载开关。
  6. 电信基础设施设备中的功率分配单元。
  由于其出色的电气性能和耐用性,该器件非常适合需要高效率和高可靠性的应用场景。

替代型号

IPP60R070PFD,
  IPP60R070CP,
  IPP60R070PD

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IPW60R070C6参数

  • 数据列表IPW60R070C6
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C53A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 25.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 1.72mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3800pF @ 100V
  • 功率 - 最大391W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000645060