IPW60R070C6 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道艗 渠道功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关效率的特点,适合用于各种电源转换、电机驱动和负载开关应用。
IPW60R070C6 的封装形式为 D2PAK-3 (TO-263),其设计旨在满足高性能功率管理的需求。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:95A
导通电阻(典型值):7.0mΩ
栅极电荷(典型值):18nC
输入电容(典型值):1460pF
总功耗:234W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
IPW60R070C6 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗。
2. 高电流处理能力,适用于大功率应用。
3. 优化的开关性能,有助于提高系统效率。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
6. 紧凑的封装设计,便于 PCB 布局和安装。
这款 MOSFET 在设计时充分考虑了高效能和可靠性,使其成为工业和汽车领域中许多应用的理想选择。
IPW60R070C6 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 电机驱动器,尤其是电动汽车和工业自动化中的无刷直流电机控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节。
4. 各种 DC-DC 转换器模块。
5. 电池管理系统中的负载开关。
6. 电信基础设施设备中的功率分配单元。
由于其出色的电气性能和耐用性,该器件非常适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
IPP60R070PFD,
IPP60R070CP,
IPP60R070PD