时间：2025/5/22 10:03:30
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IPW60R045CP是一款来自Infineon（英飞凌）的功率MOSFET，属于OptiMOS系列。该器件采用PQFN3333-2L封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等多种功率应用场合。
这款MOSFET在设计上注重提高效率和降低损耗，其优化的栅极电荷和导通电阻使其成为高频开关应用的理想选择。
型号：IPW60R045CP
类型：N-channel MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，在VGS=10V时）
ID（连续漏极电流）：87A
Qg（总栅极电荷）：28nC
EAS（雪崩能量）：1.25mJ
封装：PQFN3333-2L
工作温度范围：-55℃至+175℃
IPW60R045CP采用了先进的制造工艺，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于减少传导损耗并提升整体系统效率。
2. 较低的栅极电荷Qg，支持高频开关操作，适合用于高频率的电源转换电路。
3. 高电流承载能力，最大可承受87A的连续漏极电流。
4. 小型化的PQFN3333-2L封装，有助于节省PCB空间。
5. 良好的热性能和可靠性，能够在极端温度范围内稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
IPW60R045CP广泛应用于需要高效功率管理的领域，具体包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 各类DC-DC转换器的核心元件，如降压或升压转换器。
3. 电机驱动电路，为电机提供精确的电流控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
5. 充电器、适配器等便携式电子设备的功率转换部分。
6. 工业自动化控制系统的功率级部件。
IPD60R045P7, IPP60R045CP
