时间：2025/4/28 11:57:35
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IPTC014N10NM5 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），由英飞凌（Infineon）生产。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点，适合用于高频功率转换应用，例如服务器电源、电信设备、可再生能源系统以及电动汽车充电器等。其设计能够满足现代电力电子对高效率和小尺寸的需求。
型号：IPTC014N10NM5
类型：增强型 GaN HEMT
额定电压：600 V
额定电流：14 A
导通电阻（典型值）：100 mΩ
栅极电荷（典型值）：7.8 nC
开关频率范围：高达 5 MHz
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IPTC014N10NM5 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少传导损耗。
2. 快速开关速度，支持高频操作，从而降低磁性元件的体积和重量。
3. 高击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行。
4. 具备低栅极电荷和输出电荷，有助于提升整体效率。
5. 热稳定性强，能够在高温条件下长期工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料使用。
这款 GaN 晶体管特别适合需要高效能和高功率密度的应用场景。
IPTC014N10NM5 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. 图腾柱 PFC（功率因数校正）电路。
3. 无线充电系统中的功率传输模块。
4. 数据中心和通信基站的电源供应。
5. 新能源汽车车载充电器（OBC）及 DC-DC 变换器。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
该芯片凭借其卓越的性能，可以有效提升这些系统的效率并减小系统体积。
IPTC010N10NM5
IPTC012N10NM5
IPTC016N10NM5
