时间：2025/5/7 15:25:26
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IPT60S190D1 是 Infineon（英飞凌）推出的一款先进的功率 MOSFET，属于 OptiMOS 系列。该器件采用 TOLL 封装，适用于高效率和高功率密度的应用场景。IPT60S190D1 以其低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能著称，广泛应用于工业、汽车和可再生能源领域。
这款 MOSFET 的设计重点在于降低功耗和提升系统效率，特别适合要求高性能和高可靠性的场合。其额定电压为 190V，能够承受较高的瞬态电压，同时具备较低的栅极电荷和输出电荷，有助于减少开关损耗。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：190 V
最大连续漏电流：60 A
导通电阻（典型值，25°C）：1.4 mΩ
栅极电荷（典型值）：85 nC
总开关能量（典型值）：37 nJ
封装类型：TOLL
工作温度范围：-55 °C 至 +175 °C
IPT60S190D1 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，确保高效的电流传输并降低传导损耗。
2. 快速开关能力，使得它非常适合高频应用，例如 DC-DC 转换器和电机驱动。
3. 高效散热设计，支持更高的功率密度和更紧凑的设计。
4. 出色的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合多种应用场景。
此外，TOLL 封装提供卓越的热性能和电气性能，进一步提升了整体系统的稳定性。
IPT60S190D1 广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
2. 汽车电子系统，如电动助力转向、制动系统和空调压缩机。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换装置。
4. 电机驱动器和伺服控制系统。
5. 开关电源和不间断电源（UPS）。
由于其出色的性能和可靠性，IPT60S190D1 成为众多高功率应用的理想选择。
IPT60R080CE, IPT60R100CE, IPT60R120CE
