时间：2025/9/3 22:02:01
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IPT60R102G7XTMA1 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET，属于CoolMOS?系列。该器件采用先进的超结（Super Junction）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率电源转换应用。该MOSFET封装为PG-TO220-3，便于散热和安装，适用于各种工业、消费类和通信设备中的功率管理模块。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：34A
导通电阻(Rds(on))：102mΩ
栅极电荷(Qg)：55nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：PG-TO220-3
IPT60R102G7XTMA1 MOSFET的核心优势在于其采用的CoolMOS技术，使得器件在高电压下仍能保持极低的导通损耗和开关损耗。这种技术通过优化的硅结构，实现了接近理想的电荷平衡，从而显著降低了Rds(on)。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。
该MOSFET的封装设计有利于良好的热管理和散热性能，适用于持续高负载运行的电源系统。其55nC的栅极电荷值也使其在高频开关应用中表现优异，有助于提高整体系统效率。IPT60R102G7XTMA1 还具备良好的抗短路能力和高温稳定性，适合用于高要求的电源转换器、DC-DC转换器、服务器电源、电信整流器以及光伏逆变器等应用场合。
IPT60R102G7XTMA1广泛应用于各种高效率功率转换系统，包括服务器电源、通信电源、工业电源、UPS不间断电源、LED照明驱动电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电模块等。由于其优异的导通和开关性能，该器件特别适合用于需要高能效和高可靠性的现代电源系统，尤其是在高频开关条件下要求低损耗的场合。
在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关器件使用，提供高效能的直流-直流（DC-DC）或交流-直流（AC-DC）转换。在LED驱动电源中，它能够提供稳定的功率输出，同时减少发热，提高系统寿命。此外，在光伏逆变器中，该器件的高耐压和低损耗特性有助于提高能量转换效率，降低整体系统成本。
IPW60R102CFD7, SPD10N60C3, IPP60R102G7S
