时间：2025/5/8 19:40:04
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IPT60R055CFD7 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的功率 MOSFET 芯片，采用 TRENCHSTOP? IGBT 技术。该芯片专为高效率、高频开关应用设计，广泛应用于工业电源、电机驱动和太阳能逆变器等领域。其低导通电阻和优化的开关特性使其成为高性能功率转换的理想选择。
该器件属于 CoolMOS 系列，具有出色的热性能和可靠性，支持表面贴装封装，便于自动化生产和提高系统集成度。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：28A
导通电阻：55mΩ
栅极电荷：130nC
开关速度：快速
封装类型：D2PAK-7 (INF74921)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IPT60R055CFD7 具有以下关键特性：
1. 低导通电阻：其 RDS(on) 值仅为 55mΩ，在同类产品中处于较低水平，可显著降低传导损耗。
2. 高效开关性能：通过优化栅极电荷，该芯片能够实现快速开关，减少开关损耗。
3. 强大的热性能：得益于先进的封装技术和芯片设计，它在高温环境下仍能保持稳定运行。
4. 可靠性高：符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛环境下的长期使用。
5. 安全工作区宽广：能够在较高电压和电流条件下可靠工作，适用于多种复杂应用场景。
6. EMI 性能优越：内置优化的寄生参数，有助于降低电磁干扰问题。
IPT60R055CFD7 的典型应用领域包括：
1. 工业电源供应器：用于高效 AC/DC 和 DC/DC 转换。
2. 太阳能逆变器：在光伏系统中作为核心功率开关元件。
3. 电机驱动：支持各种类型的电机控制，包括伺服电机和步进电机。
4. 开关模式电源（SMPS）：提供紧凑高效的解决方案。
5. 电动车充电设备：适配于直流快充桩等大功率充电装置。
6. 不间断电源（UPS）：保障关键负载的持续供电。
IPT60R072CE, IPT60R084PFD7, IPP60R099PFD7
