时间：2025/5/15 14:49:10
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IPT60R022S7是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET功率晶体管，采用TRENCHSTOP? IGBT技术制造。该器件属于Optimized Field Stop MOSFET系列，设计用于高效率、高频开关应用场合。其主要特点是低导通电阻和快速开关速度，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提高系统整体效率。IPT60R022S7适用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器等需要高效功率转换的领域。
额定电压：650V
最大漏源极导通电阻（RDS(on)）：22mΩ
连续漏极电流（ID）：34A
栅极电荷（Qg）：95nC
输入电容（Ciss）：2850pF
反向恢复时间（trr）：75ns
工作结温范围：-55℃至175℃
IPT60R022S7采用了先进的TRENCHSTOP?技术，具备以下优势：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用场景。
3. 高度稳定的热性能，能够在高温环境下可靠运行。
4. 内置二极管具有较低的反向恢复电荷，可进一步降低开关损耗。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
此外，其坚固的设计使其非常适合要求严苛的工业应用环境。
IPT60R022S7广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. UPS不间断电源
5. 电动汽车充电桩
6. LED照明驱动电路
7. 各种AC-DC和DC-DC转换器
由于其高效率和耐用性，该器件特别适合对能源效率和散热性能有较高要求的应用场景。
IPT60R040S7
IPT60R070S7
IPW60R022S7
IPB60R022S7
