时间：2025/7/22 11:07:26
阅读：4
IPT017N10NM5LF2 是英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款高性能功率MOSFET器件，采用先进的半导体技术，具备高效率、低导通电阻和良好的热稳定性。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、工业自动化和消费类电子产品中，以提供高效的功率转换和稳定的性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：17A
导通电阻（RDS(on)）：17mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
功率耗散（PD）：64W
封装形式：PG-TO263-3-13
IPT017N10NM5LF2 具有极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力和优异的热管理性能使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，确保在极端工作条件下的可靠性。其封装形式采用表面贴装技术（SMD），适合自动化装配，并具有良好的散热性能。
该器件还集成了快速恢复二极管，提高了开关性能和系统响应速度。IPT017N10NM5LF2 的栅极驱动电压范围宽，支持多种控制电路设计，便于实现灵活的功率控制策略。此外，该MOSFET具有低门电荷（Qg）特性，有助于减少开关损耗，提高整体能效。在高温环境下，其稳定性和耐用性表现优异，适合工业级和汽车电子应用。
该器件广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于电源适配器、DC-DC转换器、无刷电机控制器、UPS系统、LED照明驱动器、工业自动化设备以及电动工具等。IPT017N10NM5LF2 还适用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和电机驱动模块。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET也常用于高频开关电源和节能型家电产品中。
IPB017N10NM5, IPP017N10NM5, IPU017N10NM5
