时间：2025/5/8 10:40:24
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IPS70R1K4P7S是由Infineon（英飞凌）公司生产的一款MOSFET功率晶体管，采用P沟道技术。该器件主要适用于高压、高效率开关应用场合，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。它属于OptiMOS系列，专门设计用于提升系统性能和降低能耗。
该器件采用了Trench技术以优化其性能，同时具备出色的热稳定性和可靠性，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率管理的领域。
类型：P沟道 MOSFET
额定电压：700V
额定电流：4A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：15nC
连续漏极电流：4A
封装形式：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ to +150℃
总功耗：1.9W
IPS70R1K4P7S是一款高性能的功率MOSFET，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），在典型条件下仅为1.4Ω，从而减少了传导损耗并提升了效率。
2. 高耐压能力，额定电压为700V，能够胜任高压环境下的开关任务。
3. 较小的栅极电荷量（Qg=15nC），有助于实现快速开关，减少开关损耗。
4. 封装采用标准的TO-252（DPAK），便于焊接和安装，同时提供良好的散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），确保在极端条件下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使得IPS70R1K4P7S成为许多工业和汽车级应用的理想选择。
IPS70R1K4P7S适合多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流功能。
2. 各种类型的DC-DC转换器，例如降压或升压拓扑结构。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载切换和保护电路。
4. 电机驱动器内的功率级控制。
5. 汽车电子设备，如启动/停止系统、电动助力转向等。
6. 工业自动化设备中的功率调节和分配。
凭借其卓越的电气特性和可靠性，这款器件在要求高效、紧凑且经济的设计中表现出色。
IPS70R1K8P7S, IPS70R2K2P7S
