时间：2025/8/28 17:36:55
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IPS60R600PFD7S 是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能功率MOSFET器件，采用先进的CoolMOS?技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件专为高效率、高功率密度的电源应用而设计，广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、服务器电源、工业电源以及电动汽车充电系统等场景。
类型：功率MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：21A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.6Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：56nC（典型值）
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
技术：CoolMOS?
配置：N沟道增强型
IPS60R600PFD7S 的核心优势在于其采用了英飞凌领先的CoolMOS?技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。其导通电阻仅为0.6Ω，使得在高电流条件下也能保持较低的功率损耗，有利于提高系统效率并减少散热需求。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，增强了系统的稳定性与耐用性。
该器件的栅极电荷（Qg）为56nC，属于较低水平，有助于降低驱动损耗，提高高频开关应用中的性能。TO-220封装形式具有良好的散热能力和机械稳定性，适用于多种功率电路设计。该器件还具备较强的雪崩能量承受能力，能够有效应对突发的高电压冲击，增强系统的鲁棒性。
由于其卓越的电气性能和可靠性，IPS60R600PFD7S在工业电源、服务器供电系统、通信设备电源以及新能源汽车充电模块等领域得到广泛应用。其高效率、高可靠性和良好的热管理能力，使其成为现代高效能电源系统中的理想选择。
IPS60R600PFD7S 主要用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、服务器电源供应器、工业自动化设备电源、LED照明驱动器以及电动汽车充电设备中的功率转换模块。该MOSFET特别适合用于需要高频开关和高能效转换的应用场景，有助于降低系统功耗并提高整体性能。
IPW60R060C6, STW60N60M2, FCH060N60F, SPD11N60C3
