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IPS60R600PFD7S 发布时间 时间:2025/8/28 17:36:55 查看 阅读:8

IPS60R600PFD7S 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能功率MOSFET器件,采用先进的CoolMOS?技术,具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件专为高效率、高功率密度的电源应用而设计,广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、服务器电源、工业电源以及电动汽车充电系统等场景。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):21A(在Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.6Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg):56nC(典型值)
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  技术:CoolMOS?
  配置:N沟道增强型

特性

IPS60R600PFD7S 的核心优势在于其采用了英飞凌领先的CoolMOS?技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,从而提升系统整体能效。其导通电阻仅为0.6Ω,使得在高电流条件下也能保持较低的功率损耗,有利于提高系统效率并减少散热需求。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,增强了系统的稳定性与耐用性。
  该器件的栅极电荷(Qg)为56nC,属于较低水平,有助于降低驱动损耗,提高高频开关应用中的性能。TO-220封装形式具有良好的散热能力和机械稳定性,适用于多种功率电路设计。该器件还具备较强的雪崩能量承受能力,能够有效应对突发的高电压冲击,增强系统的鲁棒性。
  由于其卓越的电气性能和可靠性,IPS60R600PFD7S在工业电源、服务器供电系统、通信设备电源以及新能源汽车充电模块等领域得到广泛应用。其高效率、高可靠性和良好的热管理能力,使其成为现代高效能电源系统中的理想选择。

应用

IPS60R600PFD7S 主要用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、服务器电源供应器、工业自动化设备电源、LED照明驱动器以及电动汽车充电设备中的功率转换模块。该MOSFET特别适合用于需要高频开关和高能效转换的应用场景,有助于降低系统功耗并提高整体性能。

替代型号

IPW60R060C6, STW60N60M2, FCH060N60F, SPD11N60C3

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