时间：2025/7/2 15:25:10
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IPS135N03L是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK) 封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。这款MOSFET广泛应用于消费电子、工业设备和汽车电子领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：135A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：75nC
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
功耗：6W
IPS135N03L具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，能够支持大电流应用。
3. 快速开关特性，可降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 紧凑型表面贴装封装，适合空间受限的设计。
6. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
该器件在多种应用中表现出色，例如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换以及电池管理等。
IPS135N03L适用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流和降压/升压转换。
2. 汽车电子系统的负载控制和电机驱动。
3. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
4. 消费类电子产品中的充电电路和保护电路。
由于其高效的特性和坚固的设计，IPS135N03L成为高性能功率管理的理想选择。
IPB130N03L
IPP130N03L
IXTH13N03T2
